1977年，全国自然科学学科规划会议在北京召开，全国科研单位和高等院校的专家学者及管理干部共1200余人参会。会议结束时，中央领导人华国锋、邓小平等接见了参会代表。王守觉、吴德馨与魏策军等作为参会代表受到了接见。这次会议是“科学的春天”到来之前的重要序幕，会上邓小平同志针对我国集成电路产业发展的迫切需求提出，“你们一定要把大规模集成电路搞上去”。

1978年底，吴德馨先生承担了N-MOS 4096位（4K）动态随机存储器（DRAM）研制重任。作为表面器件研究室405组组长，她在王守武先生的指导下，带领团队开展工艺和版图设计研究，研制成功N-MOS　4096位动态随机存储器（DRAM）。她还在国内首次将正性胶光刻、干法刻蚀等先进工艺用于大规模集成电路研制，独创“露点法”检测接触孔质量，大幅提升了大规模集成电路成品率。该技术推广到上海器件五厂，为我国集成电路的工业生产奠定了基础，大幅提升国产芯片量产可行性。随后，她与团队接续攻克16K、64K位DRAM技术，推动了我国存储器技术迭代升级。

1980年，“N沟MOS 4096位动态随机存储器提高管芯成品率的研究”、“16K位MOS动态随机存储器”获得中国科学院科技成果一等奖。

MOS 4K存储器

MOS 16K存储器