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脑机接口柔性微电极植入机器人研发成功更多>>

近日,中国科学院自动化研究所脑图谱与类脑智能实验室脑机接口与融合智能团队自主研发的柔性微电极植入机器人产品——CyberSense,通过深圳市“脑解析与脑模拟”重大科技基础设施预验收,可助力科学家将“比头发丝更细更软”的柔性微电极植入实验动物的大脑皮层,为脑机接口与脑科学研究提供关键支撑。植入机器人CyberSense具有自动化程度高、可植入数量多、空间定位准、时间效率高、使用方便快捷、灵活避让血管的优势,可以提高成功率和植入效果。CyberSense是“缝纫机”式柔性电极自动植入机器人,拥有多项自主知识产权,可灵活兼容不同规格的柔性微电极,能够应... 详细 >>
室温高效分子半导体自旋输运材料研究获进展更多>>

分子半导体通常由原子序数较低的轻元素组成,因此具有较弱的自旋-轨道耦合作用,且室温下自旋寿命的理论预测值超过毫秒量级,被学界认为是实现室温高效自旋输运和未来自旋运算应用的理想材料体系。尽管理论上可通过分子结构设计提高材料自旋寿命,但此前研究报道的分子半导体材料自旋寿命大多≤0.1μs,低于理论预测值,这一现象与对该类型材料的普遍认知相悖。近日,中国科学院国家纳米科学中心研究员孙向南团队通过理论研究发现,分子半导体材料的分子内偶极取向能够影响超精细相互作用,而超精细相互作用强度是决定材料自旋寿命的关键因素。基于这一发现,该团队联... 详细 >>
碳纳米管/硅异质集成的三维互补式场效应晶体管技术提出更多>>

随着集成电路密度不断提高,晶体管的工艺节点不断微缩,已逼近物理极限。三维互补式场效应晶体管(3D CMOS)技术成为破局的潜在路径。传统硅基3D CMOS集成技术热预算较高,导致工艺复杂成本提高,并可能引发性能退化等问题,限制了其商业应用。针对上述问题,中国科学院微电子研究所抗辐照实验室李博研究员、陆芃副研究员团队基于碳纳米管材料低温成膜能力,提出一种碳纳米管/硅异质集成(CNT/Si Heterogeneous Integration)的3D CMOS技术,实现了180nm SOI器件后道的低温(≤150℃)碳纳米管器件集成。团队提出了面向高性能数字电路应用的工艺优化方案,实现了碳纳米管器... 详细 >>
分子胶水界面锚定技术助力实现高效大面积钙钛矿组件涂布印刷制备更多>>

近日,中国科学院大连化学物理研究所研究员杨栋和刘生忠团队,在钙钛矿太阳能电池规模化制备方面取得进展。该团队开发出分子胶水界面锚定技术,实现了高效、大面积钙钛矿组件涂布印刷制备。钙钛矿太阳能电池凭借高效率、低成本等优势,被视为下一代光伏技术的核心。在产业化中,适合大面积连续生产的涂布印刷工艺是首选技术路线。然而,作为电子传输层的氧化锡纳米颗粒在涂布过程中易发生团聚,导致薄膜不均匀,进而引发钙钛矿层结晶缺陷和界面电荷传输障碍,制约电池性能提升。该研究将四甲基氯化铵引入氧化锡前驱体胶体溶液中,通过正负电荷相互作用,锚定氧化锡颗粒... 详细 >>
科研人员研发出新型“动静双感”电荷耦合光电晶体管更多>>

随着自动导引、具身智能等前沿技术的发展,机器视觉对图像采集提出了更高要求,需要精准记录静态图像,还要能够灵敏捕捉场景中的动态变化。现有的动态与有源像素传感器技术集成了动态事件检测和灰度图像采集两种功能,但每个像素通常需要几十个晶体管和电路元件,且结构复杂、功耗高、集成难度大,同时面临高速时钟同步等工程难题。针对上述问题,中国科学院金属研究所研究员孙东明团队提出了全新的“动静双感”电荷耦合光电晶体管。这种晶体管只需要一个器件单元,便可以同步实现动态与静态图像信息采集。该研究设计了“上下双光敏电容”的栅极结构。上层栅极通过... 详细 >>
研究提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构更多>>

有机发光晶体管作为集成电流放大功能和发光功能于一体的新型电致发光器件,被认为是开发下一代变革性显示技术的理想器件基元。窄光谱电致发光器件在广色域显示、光通信和光诊疗方面具有重要意义,对实现更逼真的图像、更大容量的数据传输和特殊医疗诊断等起到重要作用。通过设计合成窄光谱活性材料或引入特殊的光学设计,有机发光二极管可以降低半峰宽至20nm~40nm。然而,目前的有机发光晶体管的半峰宽值普遍集中在30nm~90nm,不利于实现广色域显示效果。因此,突破半峰宽低于20nm的技术瓶颈是领域亟待解决的问题。中国科学院化学研究所董焕丽课题组和天津大学胡... 详细 >>