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微电子所在人工智能驱动原子级工艺仿真方向取得重要进展更多>>

在2nm以下技术节点三维集成电路晶体管制造中，内侧墙、沟道释放、介质隔离等关键环节亟需突破高精度刻蚀工艺，以实现尺寸微缩和器件效能提升。当特征尺寸进入纳米尺度时，刻蚀反应截面呈现显著的尺寸效应，反应截面和缺陷等微观物理现象难以通过传统表征手段获取，现有刻蚀模型虽能预测宏观形貌演变，但在纳米尺度存在根本性局限。如何结合前沿人工智能技术，实现从原子级精度模拟刻蚀动力学过程，理解其微观结构演变过程，进而预测并优化宏观工艺参数以实现目标器件性能，是人工智能赋能集成电路先进制造的关键科学问题。详细 >>
微电子所在高速串行接口芯片方面取得新进展更多>>

当前，5G/6G、人工智能和高性能计算等应用的快速发展，推动了数据中心交换网络数据传输速率的迅速增长，对高速有线收发机的数据速率、均衡强度、时钟抖动和误码率等性能提出了更高要求。基于ADC-DSP架构的PAM-4调制有线收发机具有均衡强度大、频谱效率高、时钟速度宽松等优势，成为56~224Gb/s中长距有线收发机的主流解决方案。对于长距互连，例如处理器到交换机等应用场景，通常采用重定时收发机补偿信道损耗，重置链路抖动预算，并延长通信距离。相较于传统的有线收发机，重定时收发机面临低抖动同步时钟恢复、高速传输输出抖动恶化、补偿精度有限等挑战，... 详细 >>
微电子所在亚纳秒级超快MRAM领域取得重要科研进展更多>>

近年来，磁随机存储器（MRAM）因其优异性能获得工业界和学术界的高度关注。但受制于物理尺寸难以微缩到DRAM/NAND级别、写入速度无法达到SRAM（小于 1 纳秒，即十亿分之一秒）级别等关键技术瓶颈，MRAM在主流存储器市场上处于容量无法匹配DRAM/NAND、速度无法匹配SRAM的尴尬境地。MRAM写入速度无法匹配SRAM的根本物理限制，在于其通过电流产生阻尼自旋矩作用于存储层，实现电控“0”和“1”状态的切换。在STT-MRAM和自旋极化与磁矩共线的SOT-MRAM中，阻尼自旋矩会导致在“0”和“1”状态转换过程中的磁矩进动，这种进动需要持续2-10 ns，限制了MRAM的写入速... 详细 >>
超低噪声准二维隧穿传感器应用于精细触觉识别研究取得进展更多>>

智能机器人执行超精细操作任务时,如何在复杂环境中通过触觉辨别细微压力(如流体环境)是一项亟待解决的技术瓶颈。尽管高灵敏度柔性触觉传感器已有大量研究报告,但由于柔性传感器易受到本征噪声的限制,在实际应用中的压力分辨率水平仍难以满足需求。近日,中国科学院重庆绿色智能技术研究院研究团队受人体指尖默克尔细胞启发,提出一种共形石墨烯纳米墙-六方氮化硼-石墨烯(CGNWs-hBN-Gr)准二维垂直隧穿触觉传感器,利用hBN隧穿通道模拟PZ蛋白的生物机械门控离子通道,通过微纳米多尺度力敏界面实现了原子层间隧穿电流的宏观调控。此外,hBN盖层和隧穿效应可有效抑... 详细 >>
研究揭示固态电解质纳米尺度失效机制更多>>

全固态锂电池通过以固态电解质替代易燃的有机电解液,并兼容高容量锂金属负极,有望实现远超传统液态锂离子电池的安全性和能量密度,且能实现在极低温、高温等极端环境下的应用。然而,目前固态电解质本身的锂离子传输稳定性及析锂(锂离子在电解质内部得电子被还原)引发的短路问题,仍是制约全固态电池发展的关键瓶颈之一。到目前为止,受限于光学显微镜、扫描电镜和同步辐射X成像等技术的空间分辨率,固态电解质短路失效的纳米尺度起源尚不明确。近日,中国科学院金属研究所研究员王春阳联合美国加州大学尔湾分校教授忻获麟、麻省理工学院教授李巨,在全固态电池失... 详细 >>
可图案化及可修复有机高分子半导体研究取得进展更多>>

有机高分子半导体的高分辨率精确图案化是构建有机电路的关键技术之一，通过图案化可以减少单元器件之间的干扰并提升器件稳定性。与此同时，修复特性能够有效解决有机高分子半导体因超出弹性极限而导致的机械变形、性能衰退问题，从而提升电子设备的可靠性和耐用性。将可图案化及可修复两种功能同时集成到有机高分子半导体中，有利于拓展有机高分子半导体在柔性电子器件中的应用前景。近日，中国科学院化学研究所张德清课题组在前期工作基础上，发展了兼具可图案化与可修复两种功能的有机高分子半导体。该策略利用硫辛酸基团的动态共价二硫键，实现将光图案... 详细 >>