学习园地--集成电路先导工艺研发中心

当前位置 >> 首页 >> 学习园地

业内热点

科普知识

联系我们

高载流性能铁基超导线材研究获进展更多>>

铁基超导具有上临界场高、各向异性小、制备成本低等优点,在下一代高能粒子加速器、可控核聚变装置和高场磁共振成像系统等领域具有应用优势。高载流性能铁基超导线材是实现上述高场强电应用的基础。为获得高载流性能,需构建高密度纳米级磁通钉扎中心。由于高温超导体普遍为非金属材料,具有本征脆性,在铁基超导体中引入高密度位错作为钉扎中心极具挑战。针对上述问题,中国科学院电工研究所研究员马衍伟团队等提出了基于非对称应力场的高密度磁通钉扎中心构建策略,显著提升了铁基超导线材的高场载流性能。该研究采用规模化挤压成形技术,实现了静水压力与剪切应... 详细 >>
微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道晶体管（CVFET）更多>>

根据国际器件和系统路线图(IRDS2023),在集成电路逻辑技术领域,互补场效晶体管(CFET)是继FinFET和水平GAA之后的下一代晶体管架构。CFET技术通过将NMOS与PMOS器件垂直堆叠,改变传统平面工艺或FinFET/GAA的水平布局模式,在更小的空间内实现更高的集成密度和更佳的性能。近日,微电子所基于自主研发的垂直沟道技术,提出和研制出一种单片集成的互补垂直沟道晶体管结构(CVFET)。该结构制造工艺采用与CMOS制造工艺兼容的双侧面技术,通过两步外延工艺分别控制纳米片沟道厚度和栅极长度,实现了n型和p型纳米片晶体管的上下堆叠和自对准一体集成。其电学特性如下:上下层... 详细 >>
微电子所在芯粒集成电迁移EDA工具研究方向取得重要进展更多>>

随着高性能人工智能算法的快速发展,芯粒(Chiplet)集成系统凭借其满足海量数据传输需求的能力,已成为极具前景的技术方案。该技术能够提供高速互连和大带宽,减少跨封装互连,具备低成本、高性能等显著优势,获得广泛青睐。但芯粒集成中普遍存在供电电流大、散热困难等问题,导致其面临严峻的电迁移可靠性挑战。针对工艺层次高度复杂的芯粒集成系统,如何实现电迁移问题的精确高效仿真,并完成电迁移效应与热效应的耦合分析,已成为先进封装可靠性EDA工具领域的重点研究方向。为应对上述挑战,中国科学院微电子研究所EDA中心孙泽宇研究员与徐勤志研究员团队合作开发了... 详细 >>
【科技日报】自旋电子器件节能机制发现更多>>

随着人工智能与大数据技术的飞速发展,传统电子技术正日益逼近其性能极限。当芯片上集成的元器件越来越多、越来越密时,其总功耗和发热量会急剧上升,而当元器件密度太高,散热跟不上时,就无法再通过增加元器件来提升性能,仿佛撞上了一堵由功耗和热量组成的无形之墙——“功耗墙”。如今,“功耗墙”已成为行业发展的关键瓶颈。新一代自旋电子器件在理论上具备高速、非易失等优势,与之相关的技术则被视为突破“功耗墙”的潜力技术。然而,自旋电子器件在迈向大规模应用的道路上,却遇到了写入电流和写入功耗过高的巨大挑战。“与传统电子学仅利用电子的‘电荷’属... 详细 >>
研究获得锯齿型石墨烯纳米带中室温铁磁性的直接实验证据更多>>

石墨烯作为独特的二维材料,其p轨道电子磁性与传统磁性材料中d/f轨道电子的局域磁性不同,这为探索纯碳基量子磁性开辟了新的研究方向。锯齿型石墨烯纳米带(zGNRs)因在费米能级附近可能具有独特的磁性电子态,被认为在自旋电子学器件领域具有潜力。然而,通过电输运方法探测zGNRs的磁性面临多重挑战。例如,自下而上组装的纳米带通常长度过短,难以进行可靠的器件制备。同时,zGNRs边界的高化学反应活性也可能导致不稳定性或不均匀掺杂。此外,在较窄的zGNRs中,边缘态的强反铁磁耦合会使得在电学上难以测量其磁性信号。这些因素阻碍了针对zGNRs磁性的直接探测。近日,... 详细 >>
高速数据传输能力异质集成薄膜铌酸锂电光调制器研究取得进展更多>>

光子回路的异质集成解决方案可以充分利用不同材料平台的优势。近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员蔡艳、欧欣团队合作,通过“万能离子刀”剥离转移技术在六英寸图形化SiN晶圆上集成了高质量的铌酸锂薄膜,并通过晶圆级工艺制备出具备高速数据传输能力的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器。在该异质集成方案中,氮化硅与薄膜铌酸锂形成混合波导,铌酸锂薄膜无需刻蚀加工,简化了工艺流程。研究团队设计并通过实验展示了一种可同时工作于O波段与C波段的、基于全流程晶圆级制造的高性能氮化硅-薄膜铌酸锂异质集成马赫曾德尔电光调制器。采用万能离子刀技... 详细 >>