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微电子所在超宽带低噪声集成电路设计领域取得新进展更多>>

近期,微电子所智能感知芯片与系统研发中心乔树山团队在超宽带低噪声单片集成电路研究方面取得重要进展。微弱信号处理链路对噪声极为敏感,低噪声放大器作为信号链路的关键元器件,决定了微弱信号的检测灵敏度。传统的低噪声芯片受晶体管的增益滚降、噪声和带宽相互制约的影响,导致各类系统的灵敏度和带宽无法满足信号多样性要求。同时,当电路长期工作在低温环境时,放大器的不稳定性加剧,导致系统可靠性降低。为了解决以上问题,团队提出了可用于改变晶体管增益滚降的负阻技术和跨导重构技术,并且没有引入额外的热噪声;负阻利用晶体管源极容性器件与自身寄生电... 详细 >>
微电子所在高性能注入锁定时钟倍频器方面取得进展更多>>

人工智能、机器学习、云计算等应用的发展推动了智算/数据中心交换网络数据传输速率的迅速增长,对高速有线收发机系统中的时钟倍频器的工作速度、抖动、面积和功耗等性能提出了更高的要求。基于环形振荡器的注入锁定时钟倍频器具有低抖动多相时钟产生、紧凑布局、高能效和高鲁棒性等优势,成为有线收发机系统中多相时钟产生的有效解决方案。但注入锁定时钟倍频器面临固有注入相位误差、最优注入脉冲宽度及其随PVT变化的漂移等挑战,限制了注入锁定时钟倍频器性能的进一步提升和推广应用。针对上述关键问题,微电子所高频高压中心刘新宇研究员/郑旭强研究员团队提... 详细 >>
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展更多>>

近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前,碳化硅(SiC)晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底(即“高质量”衬底)的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英寸SiC的生长和提纯过程中,自然会产生低等级衬底(即“低质量”衬底)。在目前的工业生产中,这些衬底通常被作为陪片甚至废料处理,导致高质量SiC衬底的生产成本很高,通常占最终MOSFET器件成本的50%以上。此外,SiC衬底的制造过程耗能较高,导致较高... 详细 >>
微电子所在智能目标检测方面取得新进展更多>>

人工智能技术已广泛应用于目标检测、环境监测、矿物勘探等领域,尤其是遥感图像目标检测,具有数据量大、特征维数高、计算复杂度高的特点,其高精度实时目标检测与识别需求对无人机、卫星等部署平台的人工智能芯片提出了极大的算力与功耗挑战,亟需新型人工智能技术突破上述挑战。针对上述挑战,中国科学院微电子研究所乔树山研究员团队提出了压缩感知下多波段图像信息有限分布理论(Restricted Distribution Property),该理论允许在不重建图像的情况下,保留数据中的重要判别信息。基于该理论,团队提出了基于Kullback-Leibler(KL)散度的光谱特征评价体系,以及广义... 详细 >>
微电子所在SRAM存内计算领域取得新进展更多>>

人工智能在图像识别、音频处理、自然语言处理、大模型等领域应用极为广泛。新兴智能应用对AI芯片的算力和能效提出了更高的要求。存内计算技术通过将存储与计算深度融合,能大幅度降低冗余的数据搬运,有效提升AI芯片能效。在各种存储介质中,SRAM具有工作电压低、读写速度快、读写功耗低,工艺兼容性好等显著优势,近年来,基于SRAM的存内计算芯片在能效、算力等方面相比于传统架构取得了质的飞跃。不同应用场景通常需要不同的计算位宽以实现计算精度与能效的最优化。但当前基于SRAM的存内计算芯片仍然面临不同配置下的阵列利用率和能效损失等问题,导致其难以实现... 详细 >>
科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂更多>>

高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展,但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中,对聚合物半导体进行图案化加工,可以降低漏电流,避免相邻器件间的串扰,降低电路整体功耗。目前,可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是,发展高效的化学交联剂至关重要。中国科学院化学研究所张德清课题组在前期成果的基础上,发展了侧链末端含氟代芳基叠氮的新型聚合物半导体交联剂。该研究以常用小分子交联剂4Bx为参比,评估了PN3对n型、p型和双极型聚合物半导体的光刻图案化性能。研究... 详细 >>