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岗位名称：纳米CMOS器件及集成工艺研发
招聘人数：3人
所需专业：微电子学与固体电子学
学历要求：硕士及以上
岗位职责：1.负责高迁移率沟道导入、钝化、源漏工程等关键模块研发；2.负责高迁移率沟道FinFET或水平堆叠环栅纳米CMOS器件集成工艺研发；3.负责高迁移率沟道FinFET、水平堆叠环栅等纳米器件的研发；4.负责纳米CMOS器件电学特性测试分析及优化；5.参与相关科研项目申请、报告、结题等工作。
岗位要求：电子类相关专业，硕士及硕士以上学历；工作态度认真负责，做事积极主动，具有较强沟通、学习和动手能力，工作认真负责、善于学习、具有良好的团队合作精神；对半导体器件和工艺有深入的理解，熟悉纳米CMOS集成工艺，具备CMOS器件电学性能分析和优化能力；有半导体器件和工艺研发经验者优先。
联系人：李永亮
Email：liyongliang@ime.ac.cn
岗位名称：MEMS传感器研发工程师
招聘人数：1人
所需专业：微电子学
学历要求：硕士及以上
岗位职责：设计MEMS传感器结构，并对结构开展多物理场仿真；开展MEMS传感器的工艺流程设计；开展传感器性能测试；进行传感器的应用开发，为客户提供解决方案；发表论文，申请专利。
岗位要求：微电子、电子科学与技术、精密仪器等专业的硕士及以上；应届毕业生，或具有1年以上工作经验；熟悉微电子工艺，熟悉MEMS传感器结构及工艺；熟悉Comsol、Ansys、IntelliSuite等器件结构仿真软件；有MEMS红外、气体、湿度、温度、微流体、磁传感器研发经验者优先；熟悉传感器信号处理电路者优先；熟悉MEMS工艺者优先。
联系人：毛海央
Email：maohaiyang@ime.ac.cn
岗位名称：后摩尔新材料及新原理器件技术研究
招聘人数：1人
所需专业：物理学、微电子学
学历要求：硕士及以上
岗位职责：高通量材料计算，自旋/谷电子学器件，模拟神经计算器件理论设计；相关TCAD计算方法和工具开发。
岗位要求：1.对凝聚态物理、固体材料学有较深理解，了解半导体器件基本原理。2.具有DFT或其他计算方法对纳米微结构物理特性的研究背景。3.具有较强编程能力或对机器学习感兴趣者优先。
联系人：吴振华
Email：wuzhenhua@ime.ac.cn
岗位名称：CMOS器件研发
招聘人数：1人
所需专业：物理学、微电子学
学历要求：硕士及以上
岗位职责：3nm节点以下CMOS器件研发及path finding PDK相关, 主要研究方向为新型铁电器件，GAAFET,高迁移率沟道，三维集成.单元电路设计优化。
岗位要求： 1.具有良好的半导体器件物理与集成电路基础，2.具备TCAD仿真经验；3.熟悉Linux系统、有一定编程能力者优先考虑。
联系人：吴振华
Email：wuzhenhua@ime.ac.cn
岗位名称：器件模型与电路设计工程师
招聘人数：2人
所需专业：微电子，集成电路，半导体，电子信息技术，物理，材料
学历要求：硕士及以上
岗位职责：3nm以下新型3D器件建模和电路设计
岗位要求：具有一定的半导体物理、器件和工艺、电路设计的知识基础，具备相关项目开发经验，拥有较强科研兴趣和钻研潜质，踏实勤奋
联系人：殷华湘
Email：yinhuaxiang@ime.ac.cn
岗位名称：工艺/整合工程师
招聘人数：2人
所需专业：微电子或物理、化学、化工、材料等
学历要求：硕士及以上
岗位职责：
1.负责先进半导体器件工艺的调研及研发
2.负责集成电路/半导体工艺流程开发，以及工艺开发整合及优化
3.协助对器件和简单电路版图方案进行设计和优化，负责器件测试和结果分析及改进。
岗位要求：
1.工作态度认真负责，积极主动，有较强的学习、创新和沟通协调能力
2.能熟练查找阅读分析中英文文献
3.熟悉半导体工艺制程，有集成电路器件研发经验者优先
联系人：朱慧珑
Email：zhuhuilong@ime.ac.cn
联系人：张永奎
Email：zhangyongkui@ime.ac.cn
岗位名称：微系统设计工程师
招聘人数：2人
所需专业：电子科学与技术、材料
学历要求：硕士及以上
岗位职责：负责先进微系统的结构仿真设计、器件选型、工艺开发、性能测试，以及相关项目的材料撰写、项目争取以及项目推进等工作。参与项目组中先进MEMS传感器的设计与工艺开发，并配合项目组完成相关项目的申请、推进以及结题等工作。
岗位要求：需要了解集成电路基本工艺、熟悉各种芯片封装技术、熟练掌握Ansys等有限元仿真软件、年龄40岁以下，硕士及以上
联系人：焦斌斌
Email：jiaobinb@ime.ac.cn
岗位名称：硅光研发博士后
招聘人数：2人
所需专业：微电子学与固体电子学
学历要求：博士
岗位职责：负责跟踪硅光发展趋势和前沿研究，负责硅基光电器件与集成的前沿研究，负责或参与无源或高速硅基光电子器件研究、SOI硅光器件与芯片理论分析、设计、版图；负责或参与新型硅光器件的研究探索；负责或参与硅基光电集成研究；参与硅光芯片工艺制备和测试；参与硅光项目申请与实施；参与指导硕博士研究生。
岗位要求：1.博士学位，EE及光电子等相关专业，35岁以下。 2.有SOI无源或高速光器件与芯片设计与流片经历，有硅光新材料研究经历优先。3.熟悉Lumerical等光电子仿真设计软件及版图软件。 5.工作态度积极，责任心强，执行力强，能独立承担研究课题的主要研究任务。6流利的英语读写能力。
联系人：李志华
Email：lizhihua@ime.ac.cn
岗位名称：光电测试工程师
招聘人数：1人
所需专业：电子与信息类、光学工程类
学历要求：本科及以上
岗位职责：1.根据项目进度制定相应的测试计划；
2.如期按照测试用例完成项目测试，包含光学参数测试、电光参数测试、直流电参数测试；
3.对测试数据进行整理后输出测试报告；
4.对测试过程中的异常及时进行跟踪并与相关人员分析和解决；
5.对测试用例以及测试数据进行日常管理和维护；
6.对测试理论和方法进行探索和创新，提高测试质量。
岗位要求：1.熟悉各类光电器件及其测试原理和测试方法；
2.能熟练使用芯片光学测试、电光测试、光电测试及高速测试设备；
3.仔细、动手能力强，能独立设计和完成测试实验；
4.电子、微电子、光电子相关专业，本科以上学历，2年以上工作经验。
联系人：李志华
Email：lizhihua@ime.ac.cn
岗位名称：工艺整合工程师
招聘人数：1人
所需专业：电子与信息类、光学工程类
学历要求：硕士及以上
岗位职责：
1、产品工艺流片：负责成熟工艺产品的流片工作，按照系统流程进行流片，做好关键步骤检查监控；
2、新工艺研发，流程制定，实验设计；
3、优化工艺流程，提高工艺稳定度，降低成本；
4、 监控线上产品状态、inline测试数据，分析电学、光学参数以及良率；
5、设计（design & layout）电学测试结构；
6、产品tapeout：新产品及成熟产品的版图检查。
岗位要求：
1、本科以上学历，电子、微电子、光电子等相关专业；
2、2年以上工艺整合或器件等相关工作经历，熟悉半导体工艺制程；
3、有8吋晶圆厂经验者优先。
联系人：李志华
Email：lizhihua@ime.ac.cn
岗位名称：集成电路先导工艺研发人员
招聘人数：2人
所需专业：微电子学固体电子学
学历要求：博士
岗位职责：从事集成电路先导工艺研发，主要包括FDSOI、MRAM或先进源漏工程相关研究工作。
岗位要求：熟练掌握集成电路器件和工艺集成相关知识和技能，博士研究生学历，35岁及以下，具有微电子或半导体相关研究或工艺线工作经验者优先，具备良好的团队合作精神。
负责人：罗军
Email：luojun@ime.ac.cn
岗位名称：半导体器件集成工程师
招聘人数：2人
所需专业：微电子固体与物理、微电子
学历要求：博士
岗位职责：
1.研究方向包括：半导体材料和器件、纳米光子学、纳米电子学等
2.负责新型半导体材料生长、器件研究，包括材料结构设计以及生长制备，材料和器件表征测试、新型器件仿真与建模，器件制备工艺等。
3.负责科研项目的申请和实施。
岗位要求：
1围绕半导体材料与器件、微电子固体和物理相关专业、光电子等相关研究方向
2.年龄一般不超过35周岁，思想品德端正、身体健康
3.在国内外已取得或即将取得博士学位，能独立开展实验或理论工作，且已经取得突出的研究成果
4.流利的英语读写能力，具有独立撰写英文文章的经验。
联系人：Henry
Email：rad@ime.ac.cn
联系人：王桂磊
Email：wangguilei@ime.ac.cn
岗位名称：刻蚀/外延工程师
招聘人数：2人
所需专业：微电子、材料、物理、化学
学历要求本科及以上
岗位职责：
负刻蚀和外延等芯片制作关键工艺
岗位要求：
1. 工作态度认真负责，做事积极主动，有较强沟通能力；
2. 能熟练阅读相关中英文献，有自主分析解决问题的能力；
3. 熟悉刻蚀、外延或MOCVD薄膜沉积工艺等，具有半导体工艺开发经验者优先考虑。
联系人：李俊峰
Email：lijunfeng@ime.ac.cn
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