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微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道晶体管（CVFET）
2025-08-29
根据国际器件和系统路线图(IRDS2023),在集成电路逻辑技术领域,互补场效晶体管(CFET)是继FinFET和水平GAA之后的下一代晶体管架构。CFET技术通过将NMOS与PMOS器件垂直堆叠,改变传统平面工艺或FinFET/GAA的水平布局模式,在更小的空间内实现更高的集成密度和更佳的性能。近日,微电子所基于自主研发的垂直沟道技术,提出和研制...
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微电子所利用新型堆叠纳米片沟道表面处理技术研制成功接近理想开关的GAA晶体管
2025-03-26
堆叠纳米片全环绕栅(GAA)晶体管具有极佳的栅控特性、更高的驱动性能以及更多的电路设计灵活性,是主流集成电路制造继FinFET之后的核心晶体管结构。目前,三星电子(Samsung)、台积电(TSMC)与英特尔(Intel)等半导体巨头已经或者即将在3纳米及以下技术节点采用该器件进行工艺量产。然而,目前报道的堆叠纳米片GAA器件存在沟道...
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微电子所在《中国科学：国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构晶体管的综述论文
2024-06-14
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是推动大规模CMOS集成电路按照“摩尔定律”持续微缩并不断发展的核心器件。近十几年,为突破更小技术节点下的微缩挑战,晶体管结构创新成为了技术发展的主要路径,从平面晶体管演进到鳍式场效应晶体管,再到最新3nm技术节点下的堆叠纳米沟道全环绕栅极FET(GAAFET),通过晶体管内部沟道...
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微电子所在面向存内计算的多比特2T0C DRAM研究中取得重要进展
2024-01-11
为解决现代计算系统中（如云计算和人工智能）的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题，一种结合新型非晶态氧化铟镓锌（IGZO）薄膜材料的无电容（2T0C）DRAM结构，有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前，大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操...
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微电子所垂直纳米环栅器件研究又获突破
2023-11-24
在先进集成电路制造工艺中, 纳米环栅器件（GAA）正取代FinFET成为集成电路中的核心器件。垂直纳米环栅器件由于其在减小标准单元面积、缓解栅极长度限制、提高集成密度和改善寄生电容/电阻等方面具有独特优势, 成为先进逻辑和DRAM技术方面的重要研究方向。微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究团队于2016年首次提...
集成电路创新技术