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微电子所在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得新进展
2021-09-15
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得新进展。基于以上问题，微电子所韦亚一研究员课题组与北京理工大学马旭教授课题组合作，提出了一种基于遗传算法的改进型掩模吸收层图形的优化算法。此项研究得到国家自然科学基金、国家重点研究开发计划、北京市自然科学基金、中科院的项目资助...
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微电子所先导中心准原子层刻蚀技术最新进展
2020-06-02
近日，中科院微电子所先导中心在美国电化学会《固态科学与技术杂志》发表了文章： Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1 - xGex （ DOI ： 10.1149/2162 - 8777 / AB80AE ） 。文章系统介绍了一种全新的集成电路刻蚀技术：各向同性和硅选择性的锗硅准原子层刻蚀技术（ quasi - Atomic...
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