关于我们

教育背景：
2018-2021 中国科学院微电子研究所，微电子学与固体电子学专业，工学博士
2004-2007 北京航空航天大学，信息功能材料，工学硕士
2000-2004 武汉理工大学，材料科学与工程，工学学士
工作简历：
2013-至今 中国科学院微电子研究所 高级工程师 中国科学院技术支撑人才 硕士生导师
2007-2013 北方华创（原北方微电子） 产品经理

先导刻蚀技术，纳米器件及关键工艺，红外传感/探测器技术

2021.1-2024.12 中科院先导C类先导专项，3-1nm关键工艺模块子课题负责人
2021.9-2023.9 中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目，课题负责人
2022.1-2025.12 中国科学院技术支撑人才项目（工程类），课题负责人
2022.1-2023.6   横向课题/SiGe/Si选择性刻蚀与纳米沟道释放，课题负责人
2019.1-2021.12 北京科委项目 红外探测器关键技术，项目骨干
2013.9-2017.9  国家02专项 22-14nm先导技术研究，技术骨干

1. Jun jie Li,Wenwu Wang,Yongliang Li et al., Study of selective isotropic etching Si1？xGex in process of nanowire transistors. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2020, 31, 134–143

2. Jun jie Li, Yongliang Li,Guilei Wang, Wenwu Wang et al., A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm. Materials 2020, 13, 771 

3. Jun jie Li, Yongliang Li,Guilei Wang, Wenwu Wang et al., Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-transistors. Nanomaterials 2020, 10, 1–11 

4. Radamson, H. Jun jie Li, et al., State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology. Nanomaterials 2020, 10, 1555 

5. Na Zhou,Junjie Li, et al.,Deep silicon etching for thermopile structures using a modified Bosch process. Journal of Micro/Nanolithography,MEMS,and MOEMS 18(02):1 

6. Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin,Jun Luo,Hong Yang,Zhenghua Wu,Junjie Li, et al., The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O2/He Plasmas for Thermopile Devices. Materials 2020, 13(19), 4278  

7. Jianyu Fu,Junjie Li et al., Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process. Materials Science in Semiconductor Processing 83 (2018) 186–191 

8.Zhaohao Zhang,Gaobo Xu,Qingzhu Zhang,Junjie Li, et al., FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current using 3 nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2. IEEE Electron Device Letters PP(99) 

9. Xiaogen yin, yongkui zhang,huilong zhu,guilei wang, Junjie li, lichen, et al.,Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation. Electron Device Letters2019, 41, 8–11,doi:10.1109/LED.2019.2954537 IF 3.753 

中科院微电子研究所先进工作者（十佳员工）
中国科学院院长特别奖
唐立新奖
王守武奖
国家奖学金博士奖

1. 李俊杰，刘耀东，罗军等，一种二极管探测器、探测器及探测器制作方法，授权专利号：ZL202010059368.0
2. 李俊杰，刘耀东，周娜等，一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片，授权专利号：ZL201910787862.6
3. 李俊杰，吴振华，王文武等，一种纳米线的制作方法，授权专利号：ZL201810596945.2
4. 李俊杰，徐秋霞，殷华湘，李俊峰等，纳米线围栅MOS器件及其制备方法，授权专利号：ZL201810745480.2
5. 李俊杰，王桂磊，李永亮等，一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备，授权专利号：ZL201910380542.9
6. 李俊杰，傅剑宇，高建峰，杨涛等，一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备，授权专利号：ZL201910457839.0
7. 李俊杰，李永亮，王文武，半导体器件与其制作方法，授权专利号：ZL201810596940.X
8. 李俊杰，周娜，李永亮，王桂磊，殷华湘等，内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法，授权专利号：ZL201911234819.3
9. 李俊杰，吴振华，张青竹，王文武，包括纳米线的器件与其制作方法，授权专利号：ZL201810502936.2
10. 李俊杰，王桂磊，李永亮，周娜，杨涛，傅剑宇，李俊峰，殷华湘，朱慧珑，王文武，三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备，授权专利号：ZL201910380546.7