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简　　历：

• 教育背景：
  1998.09-2002.07 北京大学 计算机科学与技术系 微电子与固体电子学专业 本科
  2002.09-2005.07 北京大学 信息科学技术学院 微电子学系 硕士
  2015.09-2019.07 中国科学院大学 微电子与固体电子学专业 博士
  工作简历：
  2005.09-2011.07韩国三星电子 半导体事业部 高级工程师/工程师 
  2011.08-2020.06 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心 副研究员
  2020.06-至今中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心  

社会任职：

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研究方向：

• 集成电路器件可靠性物理与工艺协同优化

承担科研项目情况：

• 1.校企产研项目，2023.04-2024.10，150万，项目负责人 
  2.地方企业项目，2023.01-2025.12，1438万，项目负责人 
  3.高技术项目，2020.08-2023.08，220万，项目负责人 
  4.国家自然科学基金，2014.01-2016.12，30万，项目负责人 

代表论著：

获奖及荣誉：

专利申请：

• 已授权专利：
  1.杨红等，美国专利，授权号：US9831089 B2 
  2.杨红等，美国专利，授权号：US8921171.B2 
  3.杨红等，中国专利，授权号：ZL201510661889.2
  4.杨红等，中国专利，授权号：ZL201310331607.3
  5.杨红等，中国专利，授权号：ZL201310160772.7
  6.杨红等，中国专利，授权号：ZL201210246582.2
  7.杨红等，中国专利，授权号：ZL201210246572.9