集成电路创新技术

简　　历：

• 教育背景:
  2016.09-2020.07，北京有色金属研究总院，博士
  2011.09-2014.07,贵州大学，硕士
  2007.09-2011.07，湖北经济学院，本科
  工作简历:
  2020.07-至今，中科院微电子研究所，副研究员；
  2017.04-2020.06，中科院微电子研究所，助理研究员；
  2014.07-2017.03，中科院微电子研究所，研究实习员； 

社会任职：

•  

研究方向：

• 先进硅器件与集成技术；硅纳米线生物传感器

承担科研项目情况：

• [1] 国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，61904194，5 nm节点以下超薄铪基负电容材料稀土改性和三维架构协同效应研究，2020-01-01至2022-12-31，26万元，在研，主持；
  [2] 北京市科委，多栅负电容 MOS 器件和关键材料研究，科技新星计划，2020-10 至 2023-09，40万元，在研，主持；
  [3] 北方先进工艺研究院有限公司，堆叠纳米片围栅CMOS器件及集成技术研究项目，企业合作横向项目，2021-06 至 2024-05，1995万元，在研，参与；
  [4] 中国科学院，3-1纳米集成电路新器件与先导工艺，先导C*研，2020-01 至 2022-12，1100万元，结题，参与；
  [5] 北京市科委，新一代信息通信技术，水平堆叠环栅器件研制与新型沟道原型器件研究，2020-01 至 2021-06，500万元，结题，参与； 
  [6] 科技部重大科技专项，5nm 可集成堆叠纳米线和新型 FinFET 集成技术与关键问题，2017-01 至 2020-12，1097.25万元，结题，参与；
  [7] 国家自然科学基金委员会，重大研究计划，超薄ZrO2栅介质NC-FinFET及其可靠性研究，2020-01-01至2023-12-31，300万元，在研，参与；
  [8] 国家自然科学基金委员会，面上项目，堆叠纳米线围栅器件的辐射损伤机理及在线增强自修复机制研究，2019-01-01至2022-12-31，66万元，在研，参与。 

代表论著：

• [1] Zhang, Q.; Gu, J.; Xu, R.; Cao, L.; Li, J.; Wu, Z.; Wang, G.; Yao, J.; Zhang, Z.; Xiang, J.; He, X.; Kong, Z.; Yang, H.; Tian, J.; Xu, G.; Mao, S.; Radamson, H.H.; Yin, H.; Luo, J. Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices. Nanomaterials, 2021, 11, 646.  
  [2] Zhang Q., Yin H., Meng L., et al. Novel GAA Si nanowire p-MOSFETs with excellent short-channel effect immunity via an advanced forming process [J]. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 464 - 467.  
  [3] Zhang Q., Yin H, Luo J, et al. FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin[C]. 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2016: 17.3. 1-17.3. 4. 
  [4] Zhang Q., Tu H., Yin H., et al. Si nanowire biosensors using a FinFET fabrication process for real time monitoring cellular ion actitivies[C]. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2018: 29.6. 1-29.6. 4. 
  [5] Zhang Q., Tu H, Yin H, et al. Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays[J]. Microelectronic Engineering, 2018, 198: 48-54. 
  [6] Zhang Q., Tu H, Gu S, et al. Influence of Rapid Thermal Annealing on Ge-Si Interdiffusion in Epitaxial Multilayer Ge0.3Si0.7/Si Superlattices with Various GeSi Thicknesses[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(11): P671-P676. 
  [7] Zhang Q., Zhang Z., Tu H. et. al. Investigation of Nanoscale Fully Isolated SiNW Channel Fabrication for a FinFET Replacement Metal Gate[J]. Materials Science in Semiconductor Processing，2021，121 (2021) :105434-1 -105434-8. 
  [8] Zhang N, Zhang Z, Zhang Q*, et al. O2 Plasma Treated Biosensor for Enhancing Detection Sensitivity of Sulfadiazine in a High-к HfO2 Coated Silicon Nanowire Array[J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2019: 127464. 
  [9] Zhang Z., Xu G., Zhang Q.*, et al. FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 [J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(3): 367-370. 
  [10] Yang L., Zhang Q. *, Huang Y. et al. Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs with On-state Bias Irradiation [J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 65(8), pp.1503-1510. 

获奖及荣誉：

• 1. 北京市科技新星计划，2020年；
  2. 中国科学院青年促进会会员，2019年；
  3. 中国电子学会优秀博士论文， 2020年； 
  4. 微电子所“先进工作者”， 2016年； 

专利申请：

• 已授权专利
  [1] 张青竹,顾杰,张兆浩,殷华湘. 改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法[P]. 中国专利：CN112349591A.
  [2] Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin, Jiang Yan et. al. METHODS FOR FORMING METAL SILICIDE[P]. USA patent: US1009691B2.
  [3] 张青竹，殷华湘，闫江，李俊峰，杨涛，刘金彪，徐秋霞. 一种栅极及其形成方法[P]. 中国专利：CN105990403A.
  [4] 张青竹, 殷华湘, 闫江. 一种形成鳍的方法及结构[P]. 中国专利：CN106531631A.
  [5] 张青竹, 殷华湘, 闫江, 吴振华, 周章渝, 秦长亮, 张严波, 张永奎. 半导体器件及其制作方法[P]. 中国专利：CN107068769A.
  [6] 张青竹, 殷华湘, 张兆浩, 李俊杰, 徐忍忍. 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法[P]. 中国专利：CN108231584A.
  [7] 张青竹, 徐忍忍, 殷华湘, 张兆浩. 隧穿场效应晶体管及其制备方法[P]. 中国专利：CN108258048A.
  [8] 张青竹, 殷华湘, 闫江. 半导体器件制造方法[P]. 中国专利：CN106601617A.
  [9] 张青竹, 殷华湘, 闫江. 一种形成鳍的方法及结构[P]. 中国专利：CN106531631B.
  [10] 张青竹, 张兆浩, 魏千惠, 屠海令, 殷华湘, 魏峰, 赵鸿滨, 王文武. 一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件[P]. 中国专利： CN110527978A.