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美光计划斥资20亿美元 扩产广岛DRAM厂
2017-06-09 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】
 

  日经新闻报导,美光科技计划未来两至三年斥资20亿美元,在位于日本广岛的工厂量产主要应用在智能手机、数据中心和自驾车的新世代动态随机存取存储器(DRAM)。   

  报导指出,美光已在这座厂房内增设无尘室,并准备研发13纳米芯片的制程技术。   

  该公司已买下多台订价数十亿日元的尖端芯片制造设备进行研发,预料在DRAM芯片开始量产后,还会添购更多设备。   

  这座工厂原属于尔必达(Elpida),2013年随着尔必达一起并入美光旗下。   

  目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加紧研发,以赶上业界龙头韩国三星电子的脚步。   

  和美光目前采用的16纳米制程技术相比,13纳米芯片装配在单一晶圆上的数量更多,生产效益预料可提升逾20%。 

  (来源:联合新闻网      2017年6月1日)        

 

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