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美国罗彻斯特大学、新加坡南洋理工大学、香港理工大学学者来微电子所访问交流
2017-06-06 | 编辑:微电子重点实验室 张康玮 | 【 【打印】【关闭】
 

  5月18日,美国罗彻斯特大学教授Thomas Y. Hsiang、新加坡南洋理工大学教授Xing Zhou和香港理工大学教授Charles Surya来微电子所进行学术交流。微电子所吴德馨院士、刘明院士及科研人员、研究生共50余人参加了交流会。

  Thomas Y. Hsiang作了题为“Ultrafast Studies: Capturing Electrical Events on a picosecond Time Scale”的学术报告,回顾了皮秒脉冲激光器的历史发展和利用皮秒脉冲激光器获得器件瞬变特性的典型案例。其课题组采用激光脉冲来激发、测量电气和电子瞬变特性,可以描述多款器件的超快(~ 1 ps)和超宽带(~ 1太赫兹)的属性。

  Xing Zhou作了题为“Future III-V/CMOS Co-Integrated Technology and Hybrid Circuit Design”的学术报告。介绍了新加坡—麻省理工研究和技术联盟—低能量电子系统程序的概述以及可应用在未来异构集成电路中的混合III-V族+ CMOS技术中通用的基于GaN /InGaAs的高电子迁移率晶体管统一的紧凑模型。该模型已被混合III-V族/CMOS代工流程设计工具在设计基于III-V族/ Si集成技术的异构电路中实现。

  Charles Surya作了题为“Investigation of High Efficiency Perovskite-based Solar Cells”的学术报告,概述了提高钙钛矿太阳能电池的功率转换效率方法,展示了几种生长高质量钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的技术,详细探究了在混合化学真空镀膜过程中,采用N2/O2运载气体,导致功率转换效率显著增强的方法及原因。

  会上,与会听众与三位专家就感兴趣的话题进行了热烈的学术讨论。

  Thomas Y. Hsiang现任美国罗切斯特大学的教授,美国物理学会的会士,曾获τβπ工程卓越教学奖,发表了学术论文120篇,研究领域涵盖光子学、超快科学、超导器件和半导体电子器件等。Xing Zhou现任南洋理工大学电气电子工程学院教授,IEEE EDS distinguished讲师,累计主讲IEEE EDS报告140多场,研究领域为纳米级CMOS紧凑模型。 Charles Surya现任香港理工大学电子信息工程系教授,IEEE光电器件技术委员会主席,研究领域为半导体材料和器件在光电上的应用。

   

  Thomas Y. Hsiang作报告

   

  Xing Zhou作报告

 

  Charles Surya作报告

 

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