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“2017年极端环境微纳电子器件可靠性国际研讨会”成功举办
2017-06-06 | 编辑:微电子重点实验室 张康玮 | 【 【打印】【关闭】
 

  “2017年极端环境微纳电子器件可靠性国际研讨会”于5月22 —24日在四川省成都市举行。200余位国内外专家学者齐聚一堂,共同探讨极端环境下微纳电子器件可靠性领域的最新研究结果。

  本次会议由微电子所主办,电子科技大学、四川大学、国家自然科学基金委、中德科学中心、四川省成都市双流区政府、四川省豆萁科技股份有限公司等协办,议题包括微纳电子器件可靠性设计、失效物理研究,器件损伤效应和机理研究,加固技术设计和评价等。微电子所刘明院士担任大会主席。

  刘明在大会开幕式上致辞并做了《非易失性存储器的可靠性问题与优化技术》的主题报告。德国慕尼黑技术大学Ulf Schlichtmann教授、西北核技术研究所陈伟研究员,中国航天科技集团赵元富研究员,美国范德堡大学Dan Fleetwood教授,亚琛工业大学Ilia Valov教授等5名大会演讲嘉宾分别作了《如何在设计自动化中处理软件错误:跨层方法和普通技术》、《中子诱发单粒子事件在大规模集成电路中的影响》、《单粒子事件效应与纳米级CMOS集成电路加固技术》、《GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管的辐射效应、1/f噪声和可靠性》、《基于氧化还原的忆阻器件:基本流程和新见解》学术报告。

  大会设置了5个分会场,分别围绕电子器件可靠性(新型器件、缺陷、物理机制和建模仿真等)、可靠性设计(材料级、工艺级、器件级、电路级、系统级)、极端环境下的损伤效应和优化技术、充放电效应和静电防护、失效表征和分析等议题展开研讨。来自美国、法国、英国、德国、意大利、中国等国的33名可靠性领域产学研界专家作口头邀请报告,58名学者作口头报告。大会展示了68份大会海报,得到了参会者的强烈关注。微电子所段远、西北核技术研究所潘霄宇和美国范德堡大学江蓉被大会评选为“最佳学生论文奖”。

  本次会议为国内外极端环境微纳电子器件可靠性领域的专家学者提供了学术交流平台,为高校、研究所以及相关领域企业的工程师、研究生提供了全面深入学习微纳电子器件可靠性最新进展和了解器件可靠性前沿发展趋势的机会。

  

  大会合影

  

  刘明院士作大会报告

  

  大会现场

  

  “最佳学生论文奖”颁奖

 

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