日前，由中国科学院EDA中心承接的高性能IP模块研制课题，在陈岚研究员和吴玉平研究员的带领下，研究小组成员克服时间紧、任务重等困难，在基于SiGe工艺下的射频IP关键核心模块的研制工作取得了重要进展，并获得了上海华虹NEC电子有限公司的高度认可。

　　图1 射频IP模块的芯片照片

　　高性能IP研究小组使用华虹NEC已有SiGe工艺，对部分射频IP模块进行了设计工作。通过电路仿真、版图设计、流片和测试，验证了所设计的射频模块符合预期的设计要求，并为0.18/0.13um SiGe HBT工艺平台的研发提供了可借鉴的经验。

　　图2 部分射频模块的测试结果

　　自从华虹NEC的0.13um SiGe HBT平台开放后，高性能IP研究小组又立即针对该平台进行了部分射频IP的设计工作，目前已进入制版阶段，并将很快进行流片验证。在整个项目的合作中，高性能IP研究小组主动与华虹NEC进行全面的探讨和交流，推进了该项目的顺利进行，并获得了华虹NEC的高度认可。