973项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”2010年度总结大会于2010年12月27日于中科院微电子所召开，著名科学家王越院士、吴德馨院士、微电子所叶甜春所长参加了会议并做工作指导，各子课题负责人和科研骨干出席会议并汇报了项目的工作进展情况，会议由项目首席科学家刘新宇研究员主持。

　　叶甜春所长首先对项目科研人员一年来的工作表示肯定和感谢。他说，项目一年来运转情况良好，各个课题都取得了突出的成绩，他希望项目组成员要立足现有的研究基础，加强项目间的合力，突出解决好关键科研问题，开拓创新大胆寻求突破，创造更好的成绩。

　　各课题负责人依次做课题工作报告，详细介绍了本课题2010年度工作目标和年度工作节点完成情况，陈述了全年课题工作进展。通过全体科研人员一年来不懈的努力该项目取得了多项突破，其中几项主要成果进展显著：实现无费米能级高K钉扎的高K介质MOS界面；W波段系列电路研制成功；研制成功Fmax>210GHz的AlGaN/GaN HEMT器件；基于1um GaAs HBT工艺8-bit超高速数模混合电路研制成功；2010年度发表论文34篇，申请发明专利26项。

　　会上，围绕2010年度的工作进展状况，在座科研人员展开了热烈的讨论。王越院士认为本项目作为973滚动支持的项目，具备良好的可持续性，提出的关键科研问题切合目前国内形势需要，研究思路明确，成绩斐然。吴德馨院士表示，本项目的成功将依赖于几个关键点的突破，她希望各个课题组之间加大配合力度，发挥系统集成软件的潜力。

　　项目首席科学家刘新宇研究员在总结汇报中指出，整个项目第一年的运行情况平稳，显示了一个非常良好的开端，本年度节点目标完成情况良好，各课题圆满并超额完成了任务书中的节点目标，部分研究成果达到或超越了国际先进水平。但在其中也存在着诸如课题组之间科研互动不够等问题。他要求各个课题组在下一年度的科研工作中，狠抓改进科研模式，大力提高协作科研能力，各个课题组之间形成良好的互动，更快、更好、更深入的研究解决关键科学问题，实现科学研究和科研管理的双突破，为即将到来的项目中期评估做好充分准备。