日前，通过近两年的努力，国内第一个低温可充气真空辐射系统由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)研制成功。

　　该低温测试系统由一室可靠性测试小组的刘刚、毕津顺、曾传滨等科研人员自行设计完成，其极限真空<10-7Pa，12小时静态漏气<0.1Pa，气体充气能力为1Pa—1MPa，液氮温度连续实验时间>5小时。

　　通过该测试系统，研究人员首次测到电子元器件在液氮低温环境下总剂量效应的实验数据和封装气体环境对电子元器件总剂量效应的实验数据，实验数据表明电子元器件在低温辐射总剂量效应影响比室温辐射影响要恶劣数倍，即使经室温退火后总剂量效应的影响仍然非常严重。该低温测试平台将为微电子所的相关电子元器件低温环境下总剂量效应的机理研究提供可靠和稳定的低温测试支撑平台。