日前，中科院微电子所在阻变存储器与大生产CMOS工艺集成研究上取得进展。
　　 阻变存储器（RRAM）是近些年兴起的新型不挥发存储技术，具有单元尺寸小、速度快、功耗低、工艺及器件结构简单和可嵌入功能强等优点，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一。中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）刘明研究员带领的RRAM团队已在该领域开展了多年的研究，以与CMOS工艺兼容的二元金属氧化物材料为基础，在材料优化、机理研究、可微缩性研究、可靠性研究、小阵列原型芯片设计、测试方法学研究等方面取得了处于国内领先地位、具有一定国际影响力的系列成果。
　　 2012年，在国家科技重大专项子课题“32nm RRAM关键工艺和技术”的支持下，RRAM研发团队在SMIC生产线上完成RRAM外围电路的流片工作，在实验室环境中成功开发了1kb RRAM阵列与外围电路芯片的集成工艺。这种集成方案一方面采用了大工艺生产平台，为企业的生产研发提供前期技术储备；另一方面兼顾了实验室灵活多样的特点，可以不受CMOS工艺上材料种类的限制，开展新材料、新结构器件的研究，为产学研合作模式的进一步展开奠定了良好的基础。
　　 该科研团队的研究成果也受到国际同行的广泛关注，分别和美国的VSEA公司和Adesto公司等签署了合作开发的协议。

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图1(a) RRAM存储阵列测试系统； (b) 机台级测试针卡实物图；(c) PCB板控制电路部分。
图2 (a) 探针卡下RRAM 1kb芯片实物图； (b) 阵列中写入的‘IME’字样位图。