近日，2015年度中国科学院王宽诚人才奖项评选结果公布，微电子所副研究员吕杭炳、刘琦荣获“中国科学院卢嘉锡青年人才奖”。此次全院共有50位青年学者获此殊荣。  

　　吕杭炳主要从事阻变存储器（RRAM）的研究工作，在阻变存储器的集成技术、芯片设计和可靠性等方面开展了系统的研究工作，研制了具有完整读写功能的1 kb RRAM存储芯片，建立了能够同时兼顾实验室研发与企业大生产的研发平台；观测到了导电细丝经过多次编程后形貌、组分的演变过程，揭示了RRAM存储特性的衰退机制，并有针对性的提出了优化方案；研制成功具有4层堆叠结构的三维存储阵列；作为负责人主持“863”计划子课题1项、国家自然科学基金2项；在Nature Communication、Scientific Reports、Advanced Materials、IEEE Electron Devices Letter等国内外重要学术刊物和会议上发表论文60余篇，SCI他引675次，H因子15，作国际会议邀请报告6次；获得中国发明专利授权16项，美国发明专利授权2项。 

　　刘琦主要从事纳米加工与新型纳米电子器件的研究工作，在阻变存储器（RRAM）的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作，提出了阻变功能层掺杂的材料优化方案，解决了RRAM器件激活电压高、产率低和重复性差的难题；提出了“局域电场增强”的新器件设计思想，实现了导电通路生长的可控性，解决了RRAM器件参数离散影响集成的难题；首次实时获得导电通路形成/破灭的动态过程，揭示了电阻转变的微观机制，建立了多值阻变模型；获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金项目，主持和参与了国家自然科学基金委、国家科技重大专项、“863”计划、“973”计划等多项关于新型存储技术项目；获得北京市科学技术二等奖1项（排名第二），在Nat.Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv.Funct.Mater.、EDL和APL等期刊发表SCI论文60多篇，SCI他引1400多次，H因子18，获得授权中国发明专利14项，美国发明专利2项。 

　　“卢嘉锡青年人才奖”是在王宽诚教育基金会资助下设立，旨在吸引和凝聚创新思想活跃的青年人才，鼓励青年人才面向国家战略需求和国际学科前沿，在创新实践活动中锻炼成长，奖励在各学科领域做出突出贡献的青年科技人才。