近日，微电子所科研成果——铟镓砷（InGaAs）MOSFET射频开关芯片被国际半导体行业著名杂志Semiconductor Today进行了专题报道。 

　　高迁移率InGaAs MOSFET是在InGaAs HEMT器件的基础上引入高K介质金属栅技术发展起来的新一代半导体器件，被国际学术界和半导体产业界认为是延展摩尔定律至5纳米节点的主要技术选择。微电子所高频高压器件与集成研发中心刘洪刚研究员课题组长期致力于InGaAs MOSFET器件及其应用研究，在国家科技重大专项、973计划、国家自然科学基金等多项国家级课题的支持下，先后在量子阱沟道设计、高K介质与界面态控制、关键工艺与硅基异质集成、器件模型与电路模拟等方面取得重要进展，相关成果已成功应用于面向4G/5G移动通信的射频开关芯片的研究。课题组研制的InGaAs MOSFET射频开关芯片，在移动通信频段表现出优越的射频开关特性，在0.1-3GHz无线通信频段内插入损耗为0.27-0.49dB，隔离度达到35-68dB，比传统InGaAs HEMT射频开关具有更高的射频输出功率和功率附加效率。该特性使InGaAs MOSFET技术在5G智能手机与高速WiFi中具有广阔的应用前景。 

　　Semiconductor Today是总部位于英国具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志，专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态，具有很强的行业影响力。