在1月8日举行的2007年度国家科学技术奖励大会上，由微电子所作为第二单位完成的项目“中高频声表面波关键材料及技术研究”获得国家技术发明二等奖。近日，该项目再次获得中科院奖励。

　　本次国家科学技术奖励大会，由国家科学技术奖励评审委员会严格评审，国家科学技术奖励委员会审定和科技部审核，经国务院批准，国家技术发明奖授奖项目５１项，其中一等奖１项，二等奖５０项。“中高频声表面波关键材料及技术研究”经北京市推荐，经严格评审，在参选项目中脱颖而出，最终获二等奖。近日，中国科学院又下发了《关于奖励2007年度获国家科技奖项目的通知》，微电子所作为第二完成单位，获得50万元的奖励。

　　“中高频声表面波关键材料及技术研究”项目由微细加工与纳米技术研究室主任刘明研究员与清华大学材料系潘峰教授等合作完成，项目取得的主要研究成果有：采用Ti、Zr、Ni金属纳米级过渡层，并通过适量添加Mo等微量元素，研制出多种具有高抗电迁移和功率耐受性的Al基叉指换能器材料；成功解决了Al/ZnO/金刚石/Si多层材料间的匹配问题，获得了高品质的高频声表面波器件材料结构，制作的器件中心频率达3.3GHz；将耦合膜（COM）和镜像耦合理论成功应用于多层复合膜声表面波器件的设计，发展出具有自主知识产权的设计平台和相关软件；发展了一种新的分层分剂量进行临近效应修正电子束直写技术，解决了200纳米线宽密集叉指换能器和毫米级汇流线条同时曝光的难题，制备出线宽达0.2微米的声表面波器件；突破了高频声表面波材料与器件产业化关键技术，形成了具有自主知识产权的年产2000万只中高频器件的示范生产线。

　　“中高频声表面波关键材料及技术研究”形成了自主知识产权、推动了声表面波技术的发展，产生了显著的技术、经济效益。同时该项目的成果直接推动了我国新一代无线通信系统的发展，也直接促进了我国新一代应用电子系统安全的发展，产生了显著的社会效益。