近日，Optics Letters, Vol. 32, 2096 (2007) 发表了微电子研究所的最新研究成果“Edge-View Photodetector for Optical Interconnects”。该成果发表后，很快被Nature Photonics，Vol. 1, November 2007在Research Highlights中作为头条重点介绍，内容如下： Ease of fabrication and alignment are important issues when designing integrated optical circuits. Scientists from the Chinese Academy of Sciences and the Georgia Institute of Technology have now demonstrated a clever and cost-effective approach for manufacturing photodetectors. By using a combined process of anisotropic liquid etching, chemical-vapour deposition and lithography, Zhihua Li and co-workers have fabricated an edge-view photodetector. In their approach, light in a waveguide is directly incident on a photodetecting area positioned on the sloped side of a mesa. This ensures alignment of the waveguide and the photodetector without the need for mirrors and lenses. The performance of the device — a responsivity of 0.13 A/W at a wavelength of 850 nm — is still in need of improvement. However, the researchers expect to achieve this with better semiconductor layer growth and enhanced matching of the waveguide cross-section and photodetecting area..

　　译文：简便的制作和对准方法对光电集成电路来说是十分重要的。中国科学院和乔治亚理工学院的科学家们展示了精巧的光电探测器制作方法以降低光电集成成本。通过各向异性化学腐蚀、晶体材料外延生长和光刻等工艺过程，李志华以及他的同事研制了斜面受光探测器（EVPD）。按照他们的方法，通过光波导传播的光可以直接入射至台阶结构的斜面受光区上，实现光波导和光电探测器之间的耦合对准，无需使用反射镜和微透镜。该探测器的性能——对850nm光的响应度为0.13A/W——还需要提高。研究者们希望通过优化半导体材料的外延生长，并使光波导截面和受光区更好地匹配来提高探测器的效率。

　　目前，制约芯片间光互连广泛应用的主要因素之一是技术成本太高。虽然光电器件及其阵列已发展成熟并商用化，但是要组成光链路并实用化则仍需克服较大的成本障碍。目前主流的光电器件VCSEL和PIN PD都是平面出光和受光，而芯片间的光互连传输方向也在平面上，所以要完成光波与光电器件的耦合就需要光路在耦合前转折90°，这通常都是通过45°反射镜和微透镜来实现光路的转折与耦合对准。反射镜和微透镜的组装及繁琐的光对准工序是产生光互连成本的重要部分。EVPD可免去光接收端反射镜和微透镜的使用，对简化芯片间光互连结构，降低成本，促进芯片间光互连技术的实用化具有重要意义。