• 返回微电子所
中国科学院微电子所
砥砺前行六十载 自主创新铸未来
中国科学院微电子所建所60周年
  • 首  页

  • 所长致辞

  • 工作动态

  • 活动安排

  • 历史拾贝

  • 成果展示

  • 图 片 库

  • 所友寄语

建所60周年

  • 所长致辞
  • 工作动态
  • 活动安排
  • 历史拾贝
  • 成果展示
  • 图片库
  • 所友寄语
     现在位置:所首页 >> 建所60周年 >>  成果展示

成果展示

  • 高速QSFP全光收发一体光缆研制成功2010-04-15
  • 微电子所成功研制国内首款可产业化的IGBT芯片2010-04-01
  • 新器件及封装创新团队国际研讨会召开2010-03-26
  • 微电子所在高端芯片国产化封装技术上取得重大突破2010-03-19
  • 微电子所毫米波GaN功率器件研制成功2010-01-15
  • 微电子所研制成功国内领先水平的单通道超高速ADC芯片2009-12-31
  • “新原理设备关键技术研究及创新设备技术探索”项目启动2009-12-21
  • 芬兰倍耐克(Beneq)工程师原子层沉积技术及应用报告2009-11-26
  • 宏力半导体公司孔蔚然副总裁获聘为我所客座研究员2009-11-30
  • 微电子所阻变存储器器件研究再获新进展2009-12-05
  • 973计划“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”项目讨论交流会在...2009-12-10
  • 微电子所移动多媒体广播项目研发再次取得重大进展2009-11-20
              
    共16页   首页上5页上一页1112131415下一页下5页尾页
  • 中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
    单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
    京公网安备110402500036号
  • 中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
    单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
    京公网安备110402500036号