109厂研制开发成功系列低功耗TTL—F数字逻辑集成电路，提供给地面站使用。

　　1973年

　　109厂与北京建筑材料设计院、安徽蚌埠净化设备厂联合研制成功一套（共12种）洁净度达100级的局部空气净化台。该设备1974年投入使用。这是我国第一台用于半导体器件生产的专用净化设备。

　　1975年

　　109厂与中科院计算技术研究所合作，研制生产中国第一台集成电路百万次计算机（1025机，后命名为013机）所用的主要集成电路。013机的研制成功，迫使西方国家放宽了向中国出口百万次计算机的限制。

　　8月，国务院、中央军委以国发[1975] 128号文件下达了“757”工程任务。在“757”工程的攻关中，109厂建立了一套稳定而成熟的制造超高速集成电路工艺技术。

　　1978年

　　国家批准109厂引进价值1500万美元的上百台先进工艺、检测和理化分析设备，并批准扩建净化厂房（总建筑面积21000㎡，总投资8900万元，后追加600万元）。这两项重大决策为微电子技术发展创造了良好的条件。

建设中的净化厂房

　　“抗饱和TTL-E系列高速逻辑电路”、 “光刻技术设备的应用”、 “半导体集成电路生产线专用局部空气净化设备”、 “109乙晶体管通用数字电子计算机及其软件系统”、 “ECL-D系列超高速逻辑电路”、 “低功耗TTL-F系列逻辑电路”等成果获中科院重大科技成果奖。

　　同年，抗饱和TTL-E系列高速逻辑电路、ECL-D系列超高速逻辑电路、低功耗TTL-F系列逻辑电路、半导体集成电路生产线专用局部空气净化设备四项独立完成成果以及013大型通用集成电路数字电子计算机及其软件系统、109乙晶体管通用数字电子计算机及其软件系统两项合作完成成果荣获全国科学大会成果奖。

　　6月，在757任务进入攻坚阶段的时刻，中科院任命李德仲同志担任109厂厂长。

李德仲同志

　　1979年

　　109厂自主设计研制成功4K位MOSDRAM，平均成品率达28％。

　　1980年

　　中科院调王守武院士兼任109厂厂长。

王守武院士

　　109厂自主设计研制成功16K位MOSDRAM。

　　12月，109厂为757计算机研制生产30余个品种，共30余万块ECL和TTL集成电路。

　　1982年

　　9月，“151电子计算机双抗复合系统”获国家科学技术委员会国家科学技术工作一等奖。

　　10月，“KHA75-1型半自动接近接触式光刻机”获第一机械工业部科技工作一等奖。

　　109厂设计研制成功64K位MOSDRAM。

　　1985年

　　109厂基本完成21000㎡超净化厂房扩建工程，成为当时国内面积最大、条件最好、技术最先进的半导体开发和生产厂房。

　　3月，“大规模集成电路制造及测试设备”获机械工业部嘉奖。

　　12月，经中科院决定，并报国家科委批复，109厂与半导体所、计算所有关研制大规模集成电路部分合并，成立中国科学院微电子中心，总规模为1140人。

　　1986年

　　3月，微电子中心迁至北京市朝阳区北土城西路3号，位于元大都遗址之畔。