1月26日，“集成电路大生产试验”获中科院“六五”科技攻关重要贡献表彰。

　　5月15日，“大规模集成电路大生产试验”获国家科技攻关成绩显著表彰。

　　微电子中心在超净线研制出我国第一块64K存储器。

　　1988年

　　2月1日，“半导体工艺和器件的模型参数优化提取和统计模拟（共包括三个软件）”获中科院科技进步三等奖。

　　10月，“0.5微米粒子10个/英尺3装配式洁净室”获国家科技成果奖。

　　国家批准的109厂扩建工程竣工，通过国家验收。工作大楼面积达1.8万平方米，净化面积近5500平方米，有一条完整齐全的三英寸研制、开发生产线。

　　1989年

　　微电子中心和北京前门器件厂合作成立北京轻科微电子联合公司，并将前门器件厂的4寸线设备（约3000万元）全部迁入微电子中心超净厂房。4寸线开通并投入生产运行，为科研开发和中试生产以及完成“七五”攻关任务，打下良好的物质基础。

　　9月，“1-1.5微米成套工艺开发及相应水平大规模集成电路的研究”获“七五”国家重点科技攻关专题优异成绩表彰。

　　11月，“康发系列CAE工作站”获中科院科学技术进步一等奖。

　　研制开发成功VDMOS功率集成电路并率先在国内投入规模生产，为我国节能工作做出突出贡献。

　　1990年

　　在国内首先开发成功2微米CMOS工艺，首次自主研发成功一套栅长0.6微米Ti——自对准硅化物LDDMOS技术和相应器件和实验电路。

　　与中科院高能所、光机所合作，在北京正负电子对撞机同步辐射实验室，用微电子中心研制的X射线光刻掩膜和同步辐射光刻束线成功进行我国第一次同步辐射光刻实验。

　　“CMOS门阵列设计工具的开发”获中科院科学技术进步二等奖。

　　10月，“VDMOS场效应功率器件KWP07N40（45，50）KWPIN40-50，KWP2N40-50”获1990年度国家级新产品证书。

　　12月，“康发系列CAE工作站”获国家科委科技进步三等奖。

　　12月20日，“FD-2型RIE通用刻蚀机刻蚀机研制与超精细图形刻蚀工艺研究”获中科院科学技术进步二等奖。