国务院学位委员会批准微电子中心“半导体器件与微电子学”专业的硕士学位授予权。使研究生教育培养工作进入独立招生阶段。

　　3月，“光电、模拟和I2L相容的传感器集成技术研究”获中科院科学技术进步三等奖。“电子程序快门专用集成电路B1218” 获北京市科学技术进步二等奖。

　　10月，“VDMOS器件技术开发和产品系列定型”获中科院科学技术进步二等奖。

　　11月，吴德馨当选为中国科学院院士（学部委员）。

　　1992年

　　10月，“大电流功率VDMOS场效应器件KWP50N05 KWH50N05”、 “触摸开关TC9135”分获1992年度国家级新产品证书。

　　10月26日，“三维微结构纯位相片的设计与制作”、 “专用、半专用电路设计与制造”分获中科院科学技术进步二等奖。

　　10月26日，“1－1.5微米新工艺及新器件结构的探索性研究”、 “高电子迁移率晶体管的预研” 、“IAAS1201 PCB级故障自检专用集成电路”分获中科院科学技术进步三等奖。

　　1993年

　　3月，中央政治局委员、国务院副总理邹家华在中科院院长周光召等领导同志陪同下，视察微电子中心，并题词：“艰苦创业成果多，再接再励志气高，科技产销结合紧，开拓前进路益宽。”

　　10月23日，“多功能磁增强反应离子刻蚀机”、 “双线制烟雾报警器电路KW26201、KW26202”分获中科院科学技术进步二等奖。

　　12月，“熊猫集成电路CAD系统”获国家科学技术进步一等奖。

　　1994年

　　3月，“实用型分布重复投影光刻技术”荣获电子部等单位十大科技成果奖。

　　11月，“电子束掺杂技术研究”荣获中国科学院科技进步三等奖。

　　1995年

　　自主开发成功国内首个0.8微米成套工艺，进行0.5微米基础工艺预研。“0.8微米集成电路制造技术”入选当年“国内电子科技十大新闻”。

吴德馨院士在八五攻关项目0.8微米LSI工艺技术验收会上作报告