2月，微电子中心作为主要成员，与清华大学微电子所、北京大学微电子所、中科院半导体所组建“国家北方微电子基地”，成立“深亚微米集成电路技术国家实验室”。同年还与香港科技大学共同创造微电子联合实验室。

吴德馨院士与香港科技大学理学院院长高秉强（前排左）签署协议，成立微电子联合实验室

　　11月26日，“0.8微米CMOS集成电路芯片制造技术” 获中科院科学技术进步一等奖。“新结构器件及微细加工研究” 获中科院科学技术进步二等奖。“VDMOSFET用高阴厚层硅外延片研制” 获中科院科学技术进步三等奖。

　　12月，“0.8微米CMOS集成电路芯片制造技术”、“HBT和HEMT基础技术研究”、 “亚微米技术研究”、 “大电流VDMOS器件研究开发”分获国家“八五”科技攻关重大成果奖。

　　12月，“高衍射效率二元光学器件的设计与制备技术”获国家科技进步三等奖。

　　微电子中心获得微电子学与固体电子学博士学位授予权，标志着中心研究生教育又迈上新的台阶。

　　1997年

　　12月5日，“砷化镓材料、器件与电路”、 “万门高速CMOS门陈列及其专用电路”获中科院科学技术进步二等奖。

　　12月， “0.8微米CMOS集成电路芯片制造技术”获国家科技进步二等奖。

　　微电子中心所属的前、后工艺线、电子厂、泰龙公司等单位，生产销售的半导体器件与机电产品年度创收近2000万元。

　　2001年

　　微电子中心作为中科院知识创新工程试点单位，根据国家和行业发展需求再次对研究方向进行凝练，确定六个研究方向，分别为：深亚微米集成电路关键工艺技术、SOI/CMOS集成电路技术、基于“IP”库的专用集成电路设计、高性能专用集成电路设计、深亚微米微细加工技术、化合物半导体器件与电路。

　　2月，“亚微米深亚微米CMOS用薄层外延硅材料”、 “0.1μmGaAsHFET器件及深亚微米加工技术”均被评为“九五”国家重点科技攻关计划优秀科技成果。

　　2002年

　　4月12日，中科院院长、党组书记路甬祥视察微电子中心。

　　11月，中科院批准设立非法人事业机构中国科学院EDA中心，面向全国开展技术服务。

　　12月，“0.18 / 0.1微米CMOS集成电路关键技术研究”获北京市科学技术二等奖。

　　微电子中心和青岛青智等企业及自然人合作，成立北京中科微电子技术有限公司。公司立足于面向国内市场，与其它半导体厂商合作，设计和开发有自主知识产权的集成电路产品，并在电脑周边、音频产品、汽车电子等产业形成自己的集成电路产品线。