微电子所在高密度低应力硅通孔(TSV)研究方面取得新进展

近日,微电子所新技术开发部微系统技术实验室焦斌斌研究员团队在高密度低应力硅通孔研究方面取得新进展。目前,高密度TSV互连在近传感器和传感器内计算、混合存储器立方体、高带宽存储器、互补金属氧化物半导体图像传感器、制冷和非制冷焦平面阵列、有源像素传感器等... 详细 >>

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