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获奖题目:
获奖编号:
获奖时间: 1996年
获奖名称: VDMOSFET用高阻厚层硅外延片研制
主要完成人: 何自强 高秀峰 郝刚 何陇珠 罗梅村
完成单位: 微电子中心
成果介绍:
获奖类别: 1996年中国科学院科技进步三等奖
获奖等级:
授奖部门:
开始日期:
结束日期:
登记人:
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