论文编号: 1725110120150074
第一作者所在部门:
论文题目: A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors
论文题目英文:
作者: 徐光伟
论文出处:
刊物名称: IEEE TED
: 2016
:
: 62
: 4225
联系作者: 李泠,刘明
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