教育背景
2008.10-2011.9 东京大学 材料工程系 博士
2006.9-2008.9 哈尔滨工业大学 材料物理与化学系 硕士
2002.9-2006.8 哈尔滨工业大学 材料物理与化学系 学士
工作简历
2022.1-至今 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室 副主任
2020.7-至今 中科院微电子研究所 研究员，课题组长
2015.8-2020.7 中科院微电子研究所 副研究员，课题组长
2015.4-2015.7 东京大学 材料工程系 公派访问学者
2013.10-2015.3 中科院微电子研究所 副研究员
2011.10-2013.9 中科院微电子研究所 助理研究员
1.书系Frontiers in Semiconductor Technology (Taylor & Francis), 主编 (2021-至今)
2.国际固态薄膜会议(IWDTF)，程序委员会委员(2020-至今)
1.MOS体系的缺陷科学与工程(SiC、CNT、III-V等)
2.仿生智能器件与应用
1. 中国科学院青年促进会优秀会员项目，(2022-2024)，在研，主持
2. 基金重点项目，碳管MOSFET界面，(2021-2024), 在研，主持
3. 国家自然科学基金面上基金项目(62174176)，基于低温原子氧化的SiC MOSFET低界面态栅氧制造技术研究，（2022-2025），在研，主持
4. 国家自然科学基金面上基金项目(61974159)，基于有效离子半径理论的SiC MOSFET栅介质与界面配位调控研究，（2020-2023），在研，主持
5. 中国科学院科研仪器研制项目（YJKYYQ20200039），低界面态、高可靠性SiC MOSFET栅氧高压微波等离子体生长系统，（2021-2022），在研，主持
6. 基金项目，柔性发电技术，(2020-2022), 在研，主持
7. 中国科学院青年促进会项目，(2017-2020)，已结题，主持
8. 中国工程物理研究院联合研发项目3项，(2016-2020) ，已结题，主持
9. ASIC国家重点实验室开放课题，仿生神经元器件及细胞生物电行为模拟(2018-2019) ，已结题，主持
10. 中国科学院重点实验室开放课题，二元系铁电氧化物极化行为研究，(2015-2016) ，已结题，主持
11. 国家自然科学基金青年基金项目(61204103) ，Ge-MOS 技术中镧系复合高k介质与GeO2/Ge 界面调控的研究，（2013-2015），已结题，主持
12. 中国科学院人才基金重点项目-基于光子晶体技术的硅基锗红外探测器研究（2013-2014），已结题，主持
参与科研项目情况：
1. 国家重点研发计划(2016YFA0202304)课题“二维原子晶体的材料制备和器件验证”（2016-2021）
2. 国家973项目（2010CB327500）课题“超高频化合物基CMOS器件和电路研究”（2010-2014）
3. 国家973项目（2011CBA00600）课题“超低功耗高性能集成电路器件与工艺基础研究”（2011-2015）
4. 国家02科技重大专项课题（2011ZX02708-003）“高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究”（2011-2014）
图书专著 & 邀请报告
1. S. K. Wang, X. L. Wang, MOS interface physics, process and characterization, CRC Press, Taylor Francis Publisher, 2021.
2. S. K. Wang, Kinetic studies in GeO2/Ge system, CRC Press, Taylor Francis Publisher, 2022.
3. S. K. Wang, H. G. Liu, Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces (Book chapter), in book entitled Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges, Springer Publisher, 2017.
4. S. K. Wang, Germanium and III-Vs for future logic (Invited), Comp. Semi. Int. 2017, Brussels Belgium, (March 7-8, 2017)
5. S. K. Wang, Rapid Growth of SiO2 on SiC with Low Dit using High Pressure Microwave Oxygen Plasma (Invited), 13th IEEE Int. Conf. on ASIC, Chongqing, China, (Oct 9-Nov 1, 2019)
代表论文
1. N. You, X. Liu, Y. Bai, Q. Zhang, P. Liu, S. K. Wang*, Demonstration of non-negligible oxygen exchange in the thermal oxidation of silicon carbide, Vacuum, 191, 110403 (2021).
2. N. You, X. Liu, J. Hao, Y. Bai, S. K. Wang*, Microwave plasma oxidation kinetics of SiC based on fast oxygen exchange, Vacuum, 182, 109762 (2020).
3. S. K. Wang*, Q. Huang, J. Zhao, Y. Zhou, X. L. Zhao, P. L. Yao, X. Y. Liu, X. L. Liang, Electro-chemiresistive Functionalization of SWCNT-TFT by PCz and Its Electronic Hourglass Application with Zero-static Power Consumption, ACS Appl. Energy Mater., 2(11), 8253 (2019).
4. Z. Y. Peng, S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu*, High Temperature 1MHz Capacitance-Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4H-SiC MOS System, J. Appl. Phys., 123, 135302 (2018).
5. S.-K. Wang*, B. Sun, M.-M. Cao, H.-D. Chang, Y.-Y. Su, H.-O. Li, and H.-G. Liu*, Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, J. Appl. Phys., 121, 184104 (2017).
6. S. K. Wang*, Turbo charging the channel (Invited), Compound Semiconductor, 1, 22-30 (2016).
7. S. K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu, Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by low-temperature thermal process, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).
8. X. Yang, S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*, Al2O3/GeOx gate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method, Appl. Phys. Lett., 105, 092101 (2014).
9. B.-Q. Xue, S. K. Wang*, L. Han, H.-D. Chang, B. Sun, W. Zhao, H.-G. Liu*, High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation, Chin. Phys. B, 22, 107302 (2013).
10. S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Appl. Phys. Lett., 101, 061907 (2012).
11. S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Isotope tracing study of GeO desorption mechanism from GeO2/Ge stack using 73Ge and 18O, Jpn J. Appl. Phys., 50(4), 04DA01 (2011).
12. S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure, J. Appl. Phys., 108, 054104 (2010).
13. K. Kita*, S. K. Wang, M Yoshida, C. H. Lee, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi, Comprehensive study of GeO2 oxidation, GeO desorption and GeO2-metal interaction -understanding of Ge processing kinetics for perfect interface control-, Tech. Dig. IEDM, 29.6, 693 (2009).
100项专利申请，授权45项（含美国专利6项)
代表授权发明专利
1. Shengkai Wang, et al., Composite Gate Dielectric Layer Applied to Group III-V Substrate and Method for Manufacturing the same, 2019.1.29, US 15/539,597
2. Shengkai Wang, et al., Dual-Gate PMOS Field Effect Transistor With InGaAs Channel, 2020.2.26，US 15/539,478
3. 王盛凯，姚沛林，腔式多层膜驻极体发电机结构及其制备方法、供能系统，2020.6.19，中国，ZL 201910236299.3
4. 王盛凯，姚沛林，纳米发电机倍频输出结构及供能器件，2020.4.21，中国，ZL 201810263391. 4
5. 王盛凯，刘洪刚，孙兵，常虎东，赵威, 一种锗纳米线叠层结构的制作方法，2016.8.17，中国，ZL 201310741585.8
1. 2021, 中国科学院青年创新促进会优秀会员
2. 2020, 北京市技术发明二等奖 “高电流密度SiC电力电子器件”
3. 2017, 中国科学院青年创新促进会会员
4. 2011，Young Researcher Award, IWDTF, Japan.
人才队伍