教育背景
2006/09-2011/07，中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室，博士
2013/03-2016/05，三星电子，半导体研发中心（韩国），高级研发工程师
2011/09-2013/02，三星电子，半导体研发中心（韩国），研发工程师
2009/02-2009/05，香港城市大学，物理与材料科学系，访问研究助理
1.第十一届International Conference on Electronic Materials and Devices（新兴电子材料与器件物理国际研讨会）程序委员会委员；
吴振华博士，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。2006年于南京大学物理学系微电子专业获学士学位，2011年于中国科学院半导体研究所获理学博士学位，导师常凯院士。 2011年-2016年于三星电子韩国总部半导体研发中心任半导体器件高级研发工程师。参与研发14nm,10nm节点半导体逻辑芯片，主要从事三维鳍形晶体管FinFET中的载流子输运特性研究，TCAD仿真设计，新原理器件path-finding。2016年入选中国科学院海外人才引进项目，进入中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心任研究员至今。已在国际主流学术期刊(APL, IEEE EDL, IEEE TED, PRB, PRL, Nature Materials等)发表同行评议学术论文100余篇，被引用2000余次，两篇论文入选ESI高引论文。APL，PRB, IEEE TED等期刊以及IEEE SISPAD, IEEE ISCAS等会议审稿人。目前研究兴趣包括：
1.前沿工艺节点GAA、CFET架构CMOS设计制造协同仿真优化;
2.后摩尔纳米器件中电荷/自旋量子输运特性;
1. 国家重点研发计划项目，晶圆级“全在一”纳米器件与芯片集成，2021/12-2026/11，课题负责人。
2. 国家自然科学基金面上项目，“二维铁电材料异质结器件”，2022/01-2025/12，项目负责人。
3. 中国科学院国际伙伴计划，“集成电路核心器件先进仿真方法和TCAD/CAE工具研究”，2021/01-2023/12，项目负责人。。
4. 国家自然科学基金重点项目，“超薄ZrO2栅介质NC-FinFET及其可靠性研究”，2020/01-2023/12，任务负责人。
5. 中国科学院集成电路创新研究院（筹）基金，“亚5纳米工艺节点新型半导体器件探索研究”，2018/09-2020/08，项目负责人。
6. 北京市科技委国际合作专项，“超陡亚阈值摆幅低功耗新原理器件”，2018/09-2021/08，项目负责人。
7. 国家自然科学基金面上项目，“高迁移率二维料铟硒及其异质结构的物性、量子输运性质调控和器件应用研究”，2018/01-2021/12，项目负责人。
8. 中国科学院海外人才引进计划，“亚10纳米工艺节点CMOS架构材料可行性方案的探索研究”，2016/07-2018/06，项目负责人。
9. 国家科技重大专项02专项-产学研合作项目，“14纳米FinFET工艺技术研发”， 2016/06-2019/12，参与（子任务“10nm节点FinFET path-finding研究”负责人）。
方向一．先进工艺节点设计制造协同仿真优化
1. Luo, Y.; Zhang, Q.; Cao, L.; Gan, W.; Xu, H.; Cao, Y.; Gu, J.; Xu, R.; Yan, G.; Huo, J.; Wu, Zhenhua*, Yin, H.*, Investigation of Novel Hybrid Channel Complementary FET Scaling Beyond 3-nm Node from Device to Circuit, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, in press, doi: 10.1109/TED.2022.3176843. [通讯作者]
2. Huang, S.#; Wu, Zhenhua#; Xu, H.; Guo, J.; Xu, L.; Duan, X.; Chen, Q.; Yang, G.; Zhang, Q.; Yin, H.; Wang, L.*; Li, L.*; Liu, Ming, Geometric Variability Aware Quantum Potential based Quasi-ballistic Compact Model for Stacked 6nm-Thick Silicon Nanosheet GAA-FETs, 2021, International Electron Devices Meeting (IEDM). [共同一作]
3. Zhao. Y.; Wang, L.; Wu, Zhenhua, Schanovsky, F.; Xu, X.; Yang, H.; Yu, H.; Lai, J.; Liu, D.; Chuai, X.; Su, Y.; Wang, X.; Li, L.*; Liu, Ming*, A Unified Physical BTI Compact Model in Variability-Aware DTCO Flow: Device Characterization and Circuit Evaluation on Reliability of Scaling Technology Nodes, 2021, Symposium on VLSI Technology (VLSI). [第三作者]．
4. Yao, J.; Li, J.; Luo, K.; Yu, J.; Zhang, Q.; Hou, Z.; Gu, J.; Yang, W.; Wu Zhenhua*; Yin, H.; Wang, W., Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si0.45Ge0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5 nm Technology Node. J. Elec. Dev. Soc., 2018 6, 841. [通讯作者]
方向二．后摩尔新材料新原理器件path-finding
5. Gan, W.; Prentki, R.; Liu, F.; Bu, J.; Luo, K.; Zhang, Q.; Zhu, H.; Wang, W.; Ye, T.; Yin, H.; Wu, Zhenhua*; Guo Hong*, Design and Simulation of Steep-Slope Silicon Cold Source FETs With Effective Carrier Distribution Model, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(6), 2243. [通讯作者]
6. Zhou, M.; Zhou, C.; Luo, K.; Li, W.; Liu, J.*; Liu, Z.; Wu, Zhenhua*, Ultrawide bandwidth and sensitive electro-optic modulator based on a graphene nanoelectromechanical system with superlubricity, Carbon, 2021, 176: 228. [通讯作者]
7. Xia, Y.; Guo, S.; Xu, L.; Guo, T.; Wu, Zhenhua*; Zhang, S.*; Sensing Performance of SO2, SO3 and NO2 Gas Molecules on 2D Pentagonal PdSe2: A First-principle Study, IEEE Electron Device Letters, 2021, 42: 573. [通讯作者]
8. Wu, Zhenhua; Zhai, F.; Peeters, F. M.; Xu, H. Q.; Chang, Kai*, Valley-Dependent Brewster Angles and Goos-Hanchen Effect in Strained Graphene, Physical Review Letters, 2011, 106(17), 176802. [第一作者]
方向三．先进TCAD仿真计算方法及机器学习在TCAD中的应用
9. Xu, H.; Gan, W.; Cao, L.; Yang, C.; Wu, J.; Zhou, M.; Qu, H., Zhang, S.*; Yin, H.; Wu, Zhenhua*, A Machine Learning Approach for Optimization of Channel Geometry and Source/Drain Doping Profile of Stacked Nanosheet Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, in press, doi: 10.1109/TED.2022.3175708. [通讯作者]
(1) H. Zhu, Zhenhua Wu., Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device including the device, US Patent 16845351, 2019.
(2) M. Cantoro; Zhenhua Wu; K. Bhuwalka; S. Kim; S. Maeda, Semiconductor devices including field effect transistors and methods of forming the same, US Patent 10868125, 2020.
(3) K. Bhuwalka; Zhenhua Wu; U. Kwon; K. Lee, Semiconductor devices having tapered active regions, US Patent 10418448, 2019.
CN Patent
(1) 甘维卓; 吴振华; 许高博; 李俊杰; 殷华湘; 郭鸿, 冷源MOS晶体管及制作方法, CN113745314A, 2021.
(2) 吴振华; 甘维卓; 张兆浩; 张永奎; 李俊杰; 殷华湘; 朱慧珑; 郭鸿, 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备, CN112652664A, 2019.
(3) 吴振华; 郭鸿; 李俊杰, MOS器件及其制作方法，CN109712892B, 2019.
(4) 甘维卓; 张永奎; 李俊杰; 吴振华; 郭鸿; 殷华湘; 朱慧珑; 王文武, 冷源结构MOS晶体管及其制作方法, CN109920842A, 2019.
(5) 吴振华; 李俊杰; 郭鸿; 甘维卓; 殷华湘; 朱慧珑; 王文武, 一种MOS器件及制作方法CN110061060A, 2019
(6) 朱慧珑; 吴振华, 半导体器件机器制造方法及包括该器件的电子设备, CN109326650A, 2019.
(7) 李俊杰; 吴振华; 张丹; 罗军; 王文武, 一种纳米线的制作方法, CN109326650A, 2019.
中国科学院大学优秀本科生指导教师 (2019)
中国科学院优秀青年人才培训项目 (2019)
中国科学院海外人才引进项目 (2018)
中国科学院微电子研究所优秀员工
人才队伍