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成果展示

微电子所科研人员荣获2015年度“中国科学院卢嘉锡青年人才奖”

  近日,2015年度中国科学院王宽诚人才奖项评选结果公布,微电子所副研究员吕杭炳、刘琦荣获“中国科学院卢嘉锡青年人才奖”。此次全院共有50位青年学者获此殊荣。  

  吕杭炳主要从事阻变存储器(RRAM)的研究工作,在阻变存储器的集成技术、芯片设计和可靠性等方面开展了系统的研究工作,研制了具有完整读写功能的1 kb RRAM存储芯片,建立了能够同时兼顾实验室研发与企业大生产的研发平台;观测到了导电细丝经过多次编程后形貌、组分的演变过程,揭示了RRAM存储特性的衰退机制,并有针对性的提出了优化方案;研制成功具有4层堆叠结构的三维存储阵列;作为负责人主持“863”计划子课题1项、国家自然科学基金2项;在Nature Communication、Scientific Reports、Advanced Materials、IEEE Electron Devices Letter等国内外重要学术刊物和会议上发表论文60余篇,SCI他引675次,H因子15,作国际会议邀请报告6次;获得中国发明专利授权16项,美国发明专利授权2项。 

  刘琦主要从事纳米加工与新型纳米电子器件的研究工作,在阻变存储器(RRAM)的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作,提出了阻变功能层掺杂的材料优化方案,解决了RRAM器件激活电压高、产率低和重复性差的难题;提出了“局域电场增强”的新器件设计思想,实现了导电通路生长的可控性,解决了RRAM器件参数离散影响集成的难题;首次实时获得导电通路形成/破灭的动态过程,揭示了电阻转变的微观机制,建立了多值阻变模型;获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金项目,主持和参与了国家自然科学基金委、国家科技重大专项、“863”计划、“973”计划等多项关于新型存储技术项目;获得北京市科学技术二等奖1项(排名第二),在Nat.Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv.Funct.Mater.、EDL和APL等期刊发表SCI论文60多篇,SCI他引1400多次,H因子18,获得授权中国发明专利14项,美国发明专利2项。 

  “卢嘉锡青年人才奖”是在王宽诚教育基金会资助下设立,旨在吸引和凝聚创新思想活跃的青年人才,鼓励青年人才面向国家战略需求和国际学科前沿,在创新实践活动中锻炼成长,奖励在各学科领域做出突出贡献的青年科技人才。