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历史拾贝

中国科学院微电子所阶段(2003年至今)之五

  2016年

  5月14日,微电子所与意法半导体(中国)投资有限公司举行签约仪式,达成战略合作意向。

  6月13日,“国家集成电路人才国际培训(北京)基地揭牌”仪式在微电子所举行。

  11月23日,微电子所与四川省经信委签署战略合作协议。

  12月24日,集成电路测试仪器与装备产业技术创新联盟成立大会暨首届理事会在中科院微电子所召开。大会选举产生了联盟首届理事会成员,并推选叶甜春为首届理事会理事长。

  微电子所自对准高性能自选通阻变存储器结构研究论文被 2016VLSI 国际研讨会接收并进行口头报告。这是中科院首次作为第一作者单位在该国际会议发表论文。

  微电子所与深圳市德赛微电子有限公司联合开发的车载360度环视系统,由车载后装市场成功进入车载前装市场并进入量产阶段,这是继日本富士通之后、亚洲首款可实现360度三维成像的车载全景系统。

 

  微电子所与武汉新芯联合研发完成测试芯片的设计并顺利实现国内首款具有完整读写功能的大容量产品级三维存储测试芯片的成功流片,标志着我国首次自主研发的三维存储器芯片原型设计得到成功验证。

  微电子所“22-14纳米集成电路器件工艺先导技术”同时获得北京市科学技术奖一等奖和中国电子学会科学技术奖技术发明类一等奖,“高密度三维系统级封装关键技术研究”获得北京市科学技术奖二等奖。

  2017年

  1月9日,微电子所独立完成的“氧化物阻变存储器机理与性能调控”项目获得2016年国家自然科学二等奖。

  2月10日,中科院院长、党组书记白春礼到微电子所调研考察。

  3月18日,“成都芯谷”重大项目集中签约仪式举行。“中科院微电子西南产业基地”落户双流。

  4月26日,微电子所牵头组织完成的“22纳米集成电路核心工艺技术及应用”项目荣获“2016年度北京市科学技术奖一等奖”;牵头组织完成的“高密度三维系统级封装的关键技术研究”项目获得“2016年度北京市科学技术奖二等奖”。

  5月10日,中科院党组副书记、副院长刘伟平调研微电子所。

刘伟平(右三)调研微电子所

  10月9日,中科院院长办公会正式批准筹建“中科院集成电路创新研究院”;10月19日,创新研究院筹建工作研讨会暨筹建工作组第一次会议在北京召开。

叶甜春在创新研究院筹建工作研讨会暨筹建工作组第一次会议上汇报筹建工作进展

  微电子所与北京航空航天大学联合成功制备国内首个 80 纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。该工作对我国存储器产业的技术突破形成了具有实际意义的推动作用。

  微电子所对外发布基于8英寸CMOS工艺线的硅光子平台和MEMS工艺平台,面向国内外企业开展技术服务,标志着我国在硅光子和 MEMS领域的研发能力大幅提高。

  微电子所在8英寸工艺线上完成系统的硅光子工艺和器件研发。不仅在国内建立首个硅光子制造与开发平台,且器件性能也达到国际一流水平。

  由微电子所与紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司联合研发的国内首款大容量三维(3D)NAND 存储器芯片成功流片并通过测试,芯片性能达到当前业界主流指标。