作者信息：存储器中心  张保 

图片描述：在三维立体场效应晶体管的制备过程中，沟道孔的刻蚀技术至关重要，直接决定着三维器件堆叠的数量以及器件质量。本作品显示的是三维场效应晶体管制备过程中的沟道孔的刻蚀结果，沟道孔直径为487nm，深度为130nm，然后再通过沉积技术和刻蚀工艺，制备具有存储或运算功能的器件单元，从而探索三维场效应晶体管工作时的物理机理。对于三维立体器件而言，由不同直径的沟道孔制备而成的功能器件具有不同曲率效应，在栅压调控的过程中，不同的曲率效应会导致电场梯度的变化速率不同，从而实现不同的调控结果。因此，为了制备所需的三维立体功能器件，沟道孔的尺寸设计及其刻蚀技术，直接决定着器件的工作性能，属于整个器件制备过程中最重要的工艺之一，是新型三维器件的物理研究的基础，也是制备高密度集成电路的关键，通过不断的完善和优化沟道孔的刻蚀工艺，将有利于开展三维功能器件的物理机理研究。 

实验方法：该图是将生长好的叠层材料，通过涂胶、光刻及显影工艺后，直接通过干法刻蚀所得，然后通过扫描电子显微镜观测沟道孔的刻蚀效果。 

取样仪器名称：扫描电子显微镜SEM—日立5500