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近期,中国科学院微电子研究所刘新宇研究员团队及合作者(中国科学院固体物理研究所王先平课题组、中国科学院微电子研究所先导中心工艺平台等)在氮化镓界面态起源研究方面取得创新性进展。针对上述关键问题,刘新宇研究员团队基于超低温的恒定电容深能级瞬态傅里叶谱表征了LPCVD-SiNx/GaN界面态,在70K低温下探测到近导带能级ELP ( EC ?研究中同时发现了一种与GaN晶格周期匹配的晶体介质Si2N2O ,其与GaN<11-20>和<1-100>方向高度匹配,有望在材料生长领域催...
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