中国科学院抗辐照器件技术重点实验室（以下简称“重点实验室”）聚焦我国在核心元器件领域的关键技术瓶颈问题，针对抗辐照器件与工艺特征尺寸微缩、功能集成，以及新材料、新结构、新原理器件产生的新型辐射效应，系统开展辐射效应与机理、抗辐照器件与工艺集成技术、抗辐照电路设计与加固技术、新型抗辐照器件技术与验证等方面的研究，形成“机理-器件-电路-评测”技术体系，引领我国抗辐照器件与电路学科方向发展，为航天航空等领域应用提供技术支撑与服务。重点实验室设立开放基金的宗旨是“合作共赢，共谋发展”。现向所内外发布2023年开放基金，欢迎申请。
一、申请对象
满足下列条件之一：
(1) 具有讲师、助研及以上职称或具有同等研究能力的研究人员。
(2) 具有博士学位的研究人员。
二、拟支持方向
基于材料与结构特性的集成电路基板力学特性预测方法。
三、基金申请程序
(1) 申请人在课题申请前与拟合作的本重点实验室科研人员共同讨论，确定研究课题及实施方案。
(2) 填写“中国科学院抗辐照重点实验室开放基金申请书”。
(3) 2023年10月31日前，将申请书一式两份由依托单位签字盖章后报送中国科学院微电子研究所。
(4) 重点实验室组织相关专家进行基金评审，并最终确定资助项目及额度。
四、基金使用与管理
(1) 课题研究周期为24个月。
(2) 课题申请金额不超过20万元，具体资助额度由重点实验室确定。
(3) 开放基金由重点实验室统一管理，经费使用不得违反财务制度。
五、课题及成果管理
(1) 课题结束后，须向重点实验室提交研究工作总结报告及相关支撑材料。
(2) 申请人须在SCI期刊上发表不少于1篇学术论文方可申请结题验收。
(3) 开放基金研究成果归属双方共享。文章署名如下：
重点实验室中文名称：中国科学院抗辐照器件技术重点实验室
重点实验室英文名称：Key Laboratory of Radiation Hardened Devices and Technologies，
Chinese Academy of Sciences
(4) 文章应明确标明由本重点实验室资助。
中文格式：本文由中国科学院抗辐照器件技术重点实验室开放基金资助。
英文格式：This paper is supported by the opening fund of Key Laboratory of Radiation Hardened Devices and Technologies, Chinese Academy of Science.
(5) 未完成计划或原方案有问题时，重点实验室有权暂时终止或取消基金资助。
通信地址：北京市朝阳区北土城西路3号，中国科学院微电子研究所，邮编：100029
联系人：张学文 喻巧群
电话：010-82995750 010-82995850
E-mail：zhangxuewen@ime.ac.cn yuqiaoqun@ime.ac.cn
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