作者信息：先导中心  王桂磊 

图片描述：本作品显示的是用TEM电镜检测分析的在FinFET源漏工艺中，SiGe应变源漏的三维选择性外延生长。左图中Si Fin的顶部经过高温烘烤后发生了Si损失和流动，选择性外延生长的单晶SiGe并不对称分布；右图是在生长过程中保持了Si Fin顶部（宽度约10 nm）的形貌，选择性生长的SiGe对称分布在Fin的两边。从整体上看，Si上生长的SiGe就像是雨后从地下生长出来的“蘑菇”，焕发出生机和活力，不过这些“蘑菇”的尺寸是纳米级的。 

实验方法：上图的SiGe是通过减压化学气相沉积设备选择性外延生长制备，在Fin上生长的SiGe呈三维形状，SiO₂上面没有多晶的SiGe的生长。 

样品制备型号：FIB FEI Helios 

TEM拍摄设备名称型号：FEI Tecnai G2 F20