研究内容：
面向版图的设计工艺协同优化是计算光刻的拓展和延伸，聚焦先进节点良率导向的设计与制造方法协同优化，以提升设计能效、拓展工艺窗口、改善良率为目标，贯通物理设计布局布线、光刻友好设计、热点图形检测及修复、标准单元评估、工艺波动良率分析、并行计算加速等关键环节，开发模型及算法，实现EDA+AI工具以推动设计工艺的多维协同创新，打造面向版图优化需求、协同集成电路国产供应链研发、支撑国内先导工艺研发的DTCO平台。
研究成果：
协助国内领军芯片企业实现14/12纳米工艺国产化，达到预期良率；研发的协同优化流程被领军芯片企业确定为新节点产品设计的标准流程，版图缺陷预测技术于国内12nm节点芯片应用，预测模型准确率达到预期，形成2款点工具。相关论文在DATE、TCAD等发表，研究成果支撑了国家科技重大专项、中科院先导项目、重点研发计划、国家自然科学基金以及企业合作项目等项目。
