（一）计算光刻中的关键模型与算法
研究内容：
面向适用于45/28/14/7/5/3纳米技术节点的深紫外光刻、极紫外光刻以及新原理光刻技术开展仿真和优化相关的模型与算法研究，突破光学邻近效应修正技术、光源掩模联合优化技术、双重图形技术、逆光刻技术的核心算法，开发融合先进优化组件和人工智能算法的计算光刻工具套件。
研究成果：
已建立了深紫外光刻、极紫外光刻以及新原理光刻的光刻成像理论与模型，发展了光源分布优化、掩模衍射近场快速分析等多种算法，发表论文40余篇，申请专利20余项；开发了光刻成像仿真分析等3款工具，已在多家企业完成推广；支撑了国家科技重大专项、国家自然科学基金、中科院先导C项目以及企业合作项目等项目。
（二）先进光刻对准套刻研究
研究内容：
面向深紫外极紫外光刻工艺等纳米精度粗糙度测量和工艺质量监测，开发了电子束图像批量测量和对比分析工具，并应用于极紫外光刻胶、多重光刻等材料或工艺质量的表征分析。建立了用于分析先进光刻对准信号和工艺结构关系的工具，并对三维存储器件、逻辑器件等对准与工艺关系进行了应用研究。针对先进工艺对套刻误差的需求和面临的挑战，开发了套刻误差分析和补偿软件，具备标识数量和分布、最佳补偿模型、最佳补偿参数的筛选。
研究成果：
（1）提出了针对电子束图像的高精度边缘识别算法，并定量研究了光刻后图形扭曲现象；基于该算法，创建了二次电子表征快速模型并实现了针对线条结构的三维重建，并进行了实验验证。
（2）开发了快速对准信号计算模型，建立了对准结构优化算法，优化后的对准结构经FAB掩模制造和流片验证。
（3）针对集成电路工艺过程中的设备匹配、套刻误差补偿等问题，开发了设备匹配和监测模型，提出了基于Zernike-CPE的套刻误差补偿方法，实现了高效套刻误差修正。
