EDA中心在PDK设计领域开展了十多年的研发工作，常年服务于国内外主流Foundry、各大EDA公司和IC设计公司。能够基于多种语言(Skill/Tcl/Python)开发适用于各种软件平台的PDK/oaPDK/iPDK。到目前为止，已经基于国内主流Foundry的28nm/40nm/65nm/0.11um eFlash/130nm/180nm/0.35um/1um/3um和700V BCD/TFT/CNT-FET等先进工艺成功开发了近20兼容不同数据标准的商用PDK(包括大陆首套iPDK)。PDK交付商业用户，在多个芯片设计中应用，并获得成功。
中科院微电子所EDA中心研发的PDK/oaPDK/ePDK/iPDK
EDA中心在标准单元库设计领域开展了十多年的研究工作。建立了完善的高密度/低功耗/高性能/高可靠/可制造性友好等专用标准单元库技术方案，具有先进的标准单元库开发EDA工具和高效的批处理验证脚本平台。目前为止，已经基于国内主流的40nm/65nm/90nm/0.5um/ 600V BCD和CNT-FET工艺开发了6套专用的标准单元库。所开发的标准
单元库包含完整准确的模型文件，支持丰富的标准单元集合(组合逻辑单元/时序逻辑单元/特殊单元/ECO单元/PMK单元)。其中，40nm超高密度标准单元库中单元多达3000个，标准单元库模型文件丰富(180多个模型文件CCS/ECSM/NLDM)。标准单元库经过验证功能完整正确，灵活适应行业主流EDA软件，并支持大规模数字集成电路芯片设计流程。标准单元库交付商业用户，在多个芯片设计中应用，并获得成功。
中科院微电子所EDA中心研发的标准单元库模型示例
EDA中心具有专业的IC设计平台，团队积累了多年硅基与碳基SRAM设计经验，形成了有效的高性能/高密度/低功耗SRAM设计方案，并支持SRAM的全速测试芯片设计服务，同时具备完善的测试计划。目前，已经基于国内主流Fab 硅基28nm工艺，实现了512Kbit、8Kbit的SRAM IP核；在碳基方面，设计实现了多款1Kbit、512bit和64bit SRAM芯片并已流片。
中科院微电子所EDA中心研发的SRAM IP核设计样例
