中科院微电子所EDA中心在PDK和标准单元库(SC Library)、静态随机存储器（SRAM）设计领域开展了十多年的研究工作。积累了丰富的开发经验、成熟的技术方案、完善高效的EDA工具平台。微电子所EDA中心基于国内外Foundry主流工艺，配套先进EDA工具，开发高可靠的PDK和标准单元库；进行纳米工艺PDK和标准单元库的共性技术研究，充分考虑数据格式通用性以及可制造性设计，通过对芯片加工与设计的协同优化研究，将其集成到PDK和标准单元库的开发中，建立了完善的PDK和标准单元库开发和验证流程。目前为止，成功开发了模拟/射频/数字/混合信号/高压/存储器/TFT/二维碳管等近二十条硅基工艺线的商用PDK。每套PDK经过验证功能完整正确，灵活适应行业主流EDA软件，并支持数模混合芯片设计流程。已经基于主流Foundry的40nm/65nm/90nm/1um/3um等工艺开发了6套高密度/低功耗/高性能/可制造性友好的专用标准单元库。PDK和标准单元库交付商业用户，在多个芯片设计中应用，并获得成功。与PDK和标准单元库研发同步进行的先进工艺SRAM，作为新工艺应用的第一道屏障,面向微处理器对不同缓存性能的应用需求，以6T存储单元为基础，建立了高速低功耗SRAM和高密度SRAM设计方法。基于主流Fab的28nm成熟工艺，开发了512Kbit、8Kbit容量的高速SRAM IP核；基于碳基新工艺，研发了多款1Kbit、256bit和64bit等小容量抗工艺浮动的SRAM IP核。
PDK组件支持模拟/全定制集成电路设计
标准单元库模型支持大规模数字集成电路设计
SRAM设计流程
