“28nm及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用” 荣获中国电子学会科学技术奖二等奖
2019年4月20~21日,由工业和信息化部、中国科学技术协会、中国电子学会等联合举办的第十四届中国电子信息技术年会在合肥召开。微电子所陈岚研究员带领的团队完成的“28nm及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”项目荣获中国电子学会科学技术奖二等奖。
“28nm及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”项目由陈岚研究员带领的先进集成电路设计及EDA技术团队完成,团队面向国际发展前沿和国家重大需求,以集成电路设计重大应用问题为牵引,系统深入的研究了芯片设计与工艺协同的技术,CMP新型工艺精确建模技术,高性能版图数据并行处理技术,基于物理知识库的设计与工艺协同优化等DFM核心技术,形成了系统的技术体系,取得了先进纳米工艺可制造性设计解决方案、快速大版图数据处理算法、10多套PDK/iPDK/ePDK以及通用IP电路等系列原创性科技成果,已在国内龙头企业进行应用验证并获得了高度评价,为我国先导工艺的应用推广做出了重要贡献。
相关研究工作得到了国家科技重大专项课题、国家自然科学基金项目和北京市科委项目、中科院等项目的资助。