同时,魏同波与刘忠范团队合作提出了石墨烯/NPSS纳米图形衬底外延AlN的生长模型,理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移增强规律,石墨烯使NPSS上AlN的合并时间缩短三分之二,同时深紫外LED功率得到明显提高,使深紫外光源有望成为石墨烯产业化的一个突破口。相关成果在Appl. Phys. Lett. 114, 091107 (2019)发表后被选为Featured article,并被AIPScilight 以New AlN film growth conditions enhance emission of deep ultraviolet LEDs 为题专门报道,也被半导体领域评论杂志Compound Semiconductor 杂志版(2019年第3期)和Semiconductor Today 同时长篇报道。
此外,针对深紫外发光器件中p型掺杂国际技术难题,刘志强提出了缺陷共振态p型掺杂新机制,该方法基于能带调控,获得高效受主离化率的同时,维持了较高的空穴迁移率,实现了0.16 Ω.cm的p型氮化镓电导率,为后续石墨烯在深紫外器件透明电极中的应用奠定基础。相关成果发表在Semicond. Sci. Technol. 33, 114004 (2018),并获该期刊2018年度青年科学家最佳论文奖,该成果也得到2014年诺贝尔物理学奖获得者Amano的积极评价。
上述系列研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然基金的支持。
石墨烯上AlN成核示意图及深紫外LED器件结果
相关新闻: |
宁波材料所在抑制石墨烯腐蚀促进行为方面取得进展 |
世界首次 我国科学家制备出单层石墨烯纳米带 |
学习园地