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  • 科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂更多>>

    高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展,但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中,对聚合物半导体进行图案化加工,可以降低漏电流,避免相邻器件间的串扰,降低电路整体功耗。目前,可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是,发展高效的化学交联剂至关重要。中国科学院化学研究所张德清课题组在前期成果的基础上,发展了侧链末端含氟代芳基叠氮的新型聚合物半导体交联剂。该研究以常用小分子交联剂4Bx为参比,评估了PN3对n型、p型和双极型聚合物半导体的光刻图案化性能。研究... 详细 >>

  • 微电子所在忆阻神经-模糊硬件及应用探索方面取得新进展更多>>

    随着高性能神经网络需求的日益增长,神经-符号人工智能因其高度的可解释性和适应性,正吸引着越来越多的关注。它可以通过符号知识增强深度学习的推理和泛化,表现出优于深度学习的能力。但由于符号知识表示与计算的复杂性,设计并实现高效的神经-符号硬件仍面临算力、能效等诸多挑战。近日,微电子所集成电路制造技术重点实验室刘明院士团队提出了一种基于记忆交叉阵列的符号知识表示解决方案,首次实验演示并验证了忆阻神经-模糊硬件系统在无监督、有监督和迁移学习任务中的应用,为实现其他基于知识的技术提供了指导。团队将模糊逻辑和规则形式的符号知识直接用... 详细 >>

  • 微电子所在半导体工艺建模方法方面取得进展更多>>

    近日,集成电路设计自动化领域国际顶级会议2024 ACM/IEEE International Conference on Computer-Aided Designs(ICCAD)在美国召开,微电子所EDA中心陈岚研究员团队在会上展示了半导体工艺建模方法方面的最新研究进展。目前工艺建模主要采用的是数据驱动模型和半物理模型两大方法。数据驱动模型在提高预测精度方面表现出色,但需要大量的量测数据支持,且容易出现过拟合或模型不收敛情况。而半物理模型虽然更为鲁棒,可有效预防过拟合,但存在模型复杂度高以及不支持工艺迁移等不足。同时,通用工艺建模框架的缺乏导致不同工艺需要具有不同学科背景的研究... 详细 >>

  • 上海高研院等实验证实二氧化钌非交变磁特性 更多>>

    交变磁性是近年来提出的第三类基本磁相。交变磁性既有反铁磁体的零净磁场,又具有铁磁体的自旋劈裂现象。通常,两者被认为是不相容的。交变磁性兼具铁磁性和反铁磁性的优势,为制造自旋电子器件带来了新突破口,在磁存储和量子计算中展现出应用前景。在较多潜在的交变磁性材料中,金红石结构的二氧化钌(RuO2)因具备特殊的晶体对称性以及理论预测的1.4 eV的能带劈裂,被认为是实现交变磁性特征的候选材料之一。同时,实验上RuO2是否是磁性材料存在争议。中国科学院上海高等研究院、上海微系统与信息技术研究所、金属研究所、中国科学技术大学及南京大学的科研人员合... 详细 >>

  • 上海微系统所研制出超小型双通道集成二氧化碳红外气体传感器更多>>

    近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员李铁团队在超小型二氧化碳(CO₂)气体传感器研制方面取得进展。该团队制备的传感器具有尺寸小、功耗适中、性能稳定、成本低以及在中红外波段发光效率高等特点,具备良好的抗湿性、稳定性和可重复性,在可穿戴呼吸监测应用中具有应用前景。相关研究成果以Ultra-compact dual-channel integrated CO₂ infrared gas sensor为题,发表在《微系统与纳米工程》(Microsystems & Nanoengineering)上。呼出CO₂浓度可以直接反映人体的生理状况,而检测CO₂浓度有助于危重患者的治疗与康复。现有的呼吸气体分析... 详细 >>

  • 微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展更多>>

    环绕栅极晶体管(GAAFET)与传统FinFET工艺流程相比,引入了内侧墙(inner spacer)、沟道释放(channel release)等工艺,必须通过对叠层结构的精确横向刻蚀来实现。高精度刻蚀工艺控制是三维集成电路制造面临的最大挑战之一,其工艺机理和调控机制在科学界和工业界受到广泛关注。针对GAA内侧墙结构Si/SiGe叠层横向选择性刻蚀工艺面临的形貌缺陷和均匀性问题,微电子研究所EDA中心陈睿研究员与先导中心李俊杰高级工程师、南方科技大学王中锐教授、维也纳工业大学Lado Filipovic教授合作,通过提出全新的Ge原子解吸附和扩散的模拟算法,建立了基于蒙特卡洛方法的连续两... 详细 >>

更多科普知识>>

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