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微电子所在高性能锁相环芯片方面取得新进展
2024-07-16
近日,2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits在美国召开,微电子所抗辐照器件技术重点实验室李博研究员、杨尊松研究员团队在会上展示了高性能锁相环芯片的最新研究进展。网路数据交互量爆炸式增长,促使通信技术的不断进步,5.5G、6G、224Gb/s高速接口电路等新一代通信系统要求锁相环频率综合器的RMS抖动小于50...
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微电子所在基于IGZO和CMOS的可重构混合电路架构上取得进展
2024-07-11
当前,人工智能(AI)算法发展逐渐多样化,包括深度神经网络,Transformer,推荐系统和图卷积网络等。在AI算法中,乘加运算和内容搜索是其中的两种主要操作。在电路架构方面,存内计算(CIM)和内容可寻址存储器(CAM)分别可有效执行乘加运算和内容搜索操作。但目前基于SRAM/RRAM等器件实现CIM/CAM的硬件架构仍存在一些局限,现有架...
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微电子所在存内计算处理器上取得进展
2024-07-09
存内计算(CIM)芯片相比传统冯诺依曼架构芯片在宏单元层级实现了高能效,但系统层级的复杂周边电路使得系统能效仍然受限,系统/宏单元能效比通常低40%,使其在面向神经网络和推荐系统应用领域仍然存在一些挑战。此外,对存储主导(例如推荐系统的嵌入层)的操作,需要大量的片外访问,由于嵌入表不能被完全存储到片上,即使采用内...
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微电子所在新结构p-GaN栅极HEMT器件和电路级可靠性研究方面取得重要进展
2024-07-08
近日，中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD），其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣获大会唯一最佳青年学者奖（ISPSD Ch...
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微电子所在高吞吐率SRAM存内计算处理器芯片领域取得进展
2024-07-07
目前,ChatGPT等大型AI算法的出现对计算设备性能提出了更高要求。存内计算(CIM)有效缓解了传统冯诺依曼架构中的内存墙问题。尽管无法完全解决存储墙问题,但CIM架构通过定制化设计方法将存储单元和计算电路结合在一起,本质上提高了操作数的传输带宽,大大降低了这部分数据的传输代价。近年来,许多具有高计算能效的数字CIM架...
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微电子所在IGZO DRAM后道集成的三维存储研究领域上取得进展
2024-07-06
人工智能的飞速发展对计算和存储等硬件资源提出了巨大需求,迫切需要提升存储器层级访问的性能与效率。当前,主流计算硬件的存储系统由片上静态随机访问存储器(SRAM)以及片下随机动态存储器(DRAM)构成,它们之间通过有限的总线来进行数据传递,导致带宽有限、功耗与延迟较大等问题,逐渐成为大数据、高算力等人工智能应用的瓶...
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【新闻联播】凝聚创新合力 为建成科技强国宏伟目标奋勇前进
2024-06-25
全国科技大会、国家科学技术奖励大会和中国科学院第二十一次院士大会、中国工程院第十七次院士大会24日上午在人民大会堂隆重召开。中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平出席大会,为国家最高科学技术奖获得者等颁奖并发表重要讲话。他强调,科技兴则民族兴,科技强则国家强。中国式现代化要靠科技现代化作支撑,实...
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【新闻联播】锚定战略目标 抓好重点任务 确保如期建成科技强国
2024-06-25
6月25日上午,全国科技大会和两院院士大会第二次全体会议在北京举行。中共中央政治局常委、中央科技委员会主任丁薛祥出席会议并作总结讲话。 丁薛祥指出,习近平总书记发表重要讲话,为新时代新征程推动科技事业发展提供了根本遵循和行动指南。我们要切实把思想认识和行动统一到习近平总书记重要讲话精神上来,深刻领悟“两...
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欧洲核子中心ATLAS国际合作组代表团访问微电子所
2024-06-21
5月12日,欧洲核子中心大型强子对撞机实验ATLAS国际合作组发言人Andreas Hoecker、ATLAS资源调配负责人David Francis、ATLAS探测器升级项目负责人Benedetto Gorini、ATLAS高颗粒度时间探测器项目经理Joao Guimaraes da Costa访问微电子所。微电子所副所长罗军及微电子所先导中心、高能所实验物理中心部分科研骨干参加了交...
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科学人生·百年
2024-06-19
中国科学院院士，是国家设立的科学技术方面的最高学术称号。广大院士不仅为我国科技事业作出了杰出贡献，同时也是科学精神和科研道德的典范。“科学人生·百年”主题活动，旨在宣传展示恰逢百年诞辰的院士们矢志报国的崇高理想、勇于创新的科学精神、严谨求实的治学风范和淡泊名利的人生态度，活动形式包括组织院士风采...
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微电子所在《中国科学：国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构晶体管的综述论文
2024-06-14
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是推动大规模CMOS集成电路按照“摩尔定律”持续微缩并不断发展的核心器件。近十几年,为突破更小技术节点下的微缩挑战,晶体管结构创新成为了技术发展的主要路径,从平面晶体管演进到鳍式场效应晶体管,再到最新3nm技术节点下的堆叠纳米沟道全环绕栅极FET(GAAFET),通过晶体管内部沟道...
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大国科学家
2024-05-29
中国科学院携手中央电视台等中央媒体，共同打造“大国科学家”宣传品牌，讲好中国科学家创新故事，展现他们的家国情怀、科学精神、卓越贡献，为加快建设科技强国、实现高水平科技自立自强营造良好氛围。5月30日，我们迎来第八个“全国科技工作者日”。“大国科学家”，又将在中央电视台新闻频道连续播出。让我们一起聆听...
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微电子所青年科研人员获中国科学院多项表彰
2024-05-22
5月14日，中国科学院团委在京举行了第二届中国科学院青年五四奖章和2023年度中国科学院“两优两红”颁奖仪式。微电子所罗庆研究员获得第二届“中国科学院青年五四奖章”，彭松昂副研究员获评“中国科学院优秀共青团干部”。罗庆现任微电子所重点实验室主任，主要研究方向为国家发展亟缺的新型存储器，作为项目负责人获批...
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我国科学家开发出可规模制造的光子芯片材料
2024-05-10
光子芯片是未来信息产业的重要基础,业界一直在寻找可规模制造光子芯片的优势材料。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣领衔的团队在该领域取得突破性进展，他们开发出钽酸锂异质集成晶圆，并成功用其制作高性能光子芯片。欧欣介绍，不同于电子芯片以电流为信息载体，光子芯片以光波为信息载体，能实现低功耗...
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上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术
2024-05-09
5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》为题，发表在《自然》上。欧欣团队采用基于万能离子刀的异质集成技术，通过氢离子注入结合晶圆键合的方法，制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜...
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微电子所在高密度低应力硅通孔（TSV）研究方面取得新进展
2024-05-06
近日，微电子所新技术开发部微系统技术实验室焦斌斌研究员团队在高密度低应力硅通孔研究方面取得新进展。目前，高密度TSV互连在近传感器和传感器内计算、混合存储器立方体、高带宽存储器、互补金属氧化物半导体图像传感器、制冷和非制冷焦平面阵列、有源像素传感器等具有重要应用前景。但在高密度应用场景下，由于硅衬底...
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微电子所在光刻胶模型校准研究方面取得重要进展
2024-04-24
近期微电子所EDA中心计算光刻团队与腾讯量子实验室，围绕光刻胶模型校准的合作研究取得了重要进展。针对当前光刻胶模型校准难题，团队通过深入的理论和实验研究，结合具体工艺条件，开发了基于机器学习的光刻胶模型校准贝叶斯优化方法。本次合作研究旨在研究人工智能、机器学习在计算光刻领域的应用，提高光刻胶模型准确...
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微电子所在纳米森林柔性湿度传感器及其创新应用研究方面取得新进展
2024-04-12
近日，微电子所健康电子中心黄成军研究员和毛海央研究员团队在纳米森林柔性湿度传感器方向取得新进展。现有湿度传感器在低湿条件下存在灵敏度低的问题，难以满足高精度检测要求。团队开发了一种基于碳量子点@纳米森林复合结构的新型湿敏材料，利用纳米森林的高孔隙率和超亲水特点，及其与柔性基底可兼容制备和晶圆级制备...
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微电子所在芯片自适应微流散热方面取得新进展
2024-04-07
近日，微电子所新技术开发部微系统技术实验室焦斌斌研究员团队在芯片自适应微流散热领域取得了新进展。本研究从动物通过毛孔蒸发汗液以增强散热获得灵感，基于仿生原理，在硅基微流冷板内制备了温敏阀体结构及工质蒸发区。当芯片在极端高功耗工况下工作使自己温度急剧升高时，温敏阀体打开并释放冷却工质至蒸发区以实现...
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微电子所领导班子集体与领导人员获中国科学院嘉奖
2024-04-07
近日，中国科学院公布了对院属单位、院机关部门2023年度考核优秀领导班子及领导人员予以嘉奖的决定。优化战略布局，抢占科技制高点，组织凝练集成电路三维制造技术与工艺重大项目，全力推进重点实验室建设，基础研究成果量质同步提升，产出了一批重要原创成果，凝聚了一批领军人才队伍，各项重点工作取得突出进展。2024...
综合新闻