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微电子所在基于低功耗人工智能领域研究取得新进展
2023-09-26
近日，微电子所感知中心低功耗智能技术与微系统团队在低功耗人工智能领域研究取得新进展。语音唤醒技术（ KWS , Keyword Spotting ）是人工智能领域的重要技术，作为设备与系统的音频“开关” ，其广泛应用于各种低功耗的智能芯片与微系统中。现有针对低功耗语音唤醒芯片的研究中，仍存在语音特征与网络模型精度不匹配的...
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超导量子芯片模拟多种陈绝缘体研究取得进展
2023-09-25
量子霍尔效应是凝聚态物理学中的基本现象。科学家发展了拓扑能带理论来研究此类拓扑物态，发现了量子霍尔系统的能带结构和系统的边界态密切相关即存在体相与边缘的对应，并利用陈数（ Chern number ）来区分不同的拓扑结构，以陈绝缘体来描述相关拓扑物态。陈绝缘体材料可通过第一性原理计算预测以及实验合成并检测，过...
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我学者研发新型柔性声学超表面功能器件
2023-09-12
9月5日，记者从中国科学院深圳先进技术研究院(以下简称深圳先进院)获悉，该院研究员郑海荣与华中科技大学教授祝雪丰、杨光等合作研发出新型柔性声学超表面功能器件，在高/超分辨医学成像、精准操控给药和可穿戴器件等方面具有重要应用前景。相关成果发表在《自然 通讯》上。据了解，该器件基于二氧化硅纳米颗粒修饰的细...
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中国科学家研究提出新型类脑学习方法
2023-08-30
记者8月29日从中国科学院自动化研究所获悉，该所徐波研究员团队联合科研同行最新研究提出一种基于神经调制依赖可塑性的新型类脑学习方法（NACA），实现更高分类精度和更低学习能耗，可极大缓解灾难性遗忘问题，有望进一步引导新型类脑芯片的设计。这项人工智能(AI)领域类脑研究重要进展成果论文，由徐波研究员团队与中国...
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微电子所在28nm RRAM存内计算电路领域取得进展
2023-08-21
物联网与人工智能技术的迅猛发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算、将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而大幅提升边缘设备的数据处理能力与效能比。但由于基础单元特性的非理想因素，阵列中的寄生效应以及模数转换电路...
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微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展
2023-08-21
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。现在普遍研究的正交相（ orthorhombic phase ，简称“ o相” ） HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压与先进技术节点...
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加强基础研究 打造原始创新策源地 新思想引领新征程
2023-07-25
近日，位于贵州的中国天眼传来好消息，FAST发现的脉冲星数量已超过800颗，这一数量是自其投入运行以来，国外同类型观测设备脉冲星发现总数的三倍以上。从落成启用到正式运行，习近平总书记十分关心中国天眼，勉励大家要勇攀世界科技高峰，在一些领域实现并跑领跑，为加快建设科技强国、实现科技自立自强作出新的更大贡献...
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习近平给“科学与中国”院士专家代表回信强调 带动更多科技工作者支持和参与科普事业 促进全民科学素质的提高
2023-07-25
中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平7月20日给“科学与中国”院士专家代表回信，对科技工作者支持和参与科普事业提出殷切期望。习近平在回信中说，多年来，你们积极参加“科学与中国”巡讲活动，广泛传播科学知识、弘扬科学精神，在推动科学普及上发挥了很好的作用。习近平指出，科学普及是实现创新发展的重要...
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科技创新再出发
2023-07-25
7月17日，中国科学院召开“牢记嘱托 学思践悟 再建新功——深入学习贯彻习近平总书记2013年在中国科学院考察工作时的重要讲话精神”专题座谈会。中国科学院院长、党组书记侯建国出席会议并讲话。中央主题教育第三十七指导组组长蒋卓庆及部分指导组成员出席会议。中国科学院副院长、党组副书记阴和俊主持会议，在京院领导...
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微电子所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展
2023-07-21
基于HfO2的铁电存储器（FeRAM）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感，性能受温度影响很大。如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响，使其能在高温下实现高可靠性操作需要更加深入研究。针对这一问题，微电子所刘明院士团队提出了一种考虑温度效应的铁电阵列操作方法，并在128kb...
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努力抢占科技制高点 加快实现高水平科技自立自强
2023-07-17
习近平同志《论科技自立自强》一书，收入党的十八大以来习近平同志关于科技自立自强的重要文稿。在强国建设、民族复兴的新征程上，中国科学院将进一步深入学习贯彻习近平总书记重要论述和重要指示批示精神，紧紧围绕“四个率先”和“两加快一努力”目标要求，胸怀“国之大者” ，勇担时代重任，把抢占科技制高点作为核心...
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中国科学院微电子研究所暨中国科学院大学集成电路学院2023届研究生毕业典礼隆重举行
2023-06-28
6 月15 日，中国科学院微电子研究所暨中国科学院大学集成电路学院2023届研究生毕业典礼在微电子所隆重举行，微电子所所长、党委书记戴博伟，副所长李泠、导师代表、2023届毕业生及亲属等300余人共同出席，典礼由教育处副处长吴璇主持。戴博伟向毕业生们顺利完成学业表示热烈祝贺。他指出，集成电路技术是事关国家安全和...
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微电子所在纳米森林柔性湿度传感器及其应用研究方面取得新进展
2023-06-28
近日，微电子所健康电子中心毛海央研究员团队在纳米森林柔性湿度传感器及其非接触人机交互应用研究方面取得重要进展。具有高灵敏度和快速响应能力的柔性智能传感器因其可将来自人体的各种信号“转换”为机器可以识别的信息并进行非接触传感，被认为在先进人机交互系统的新型控制方法研发中心发挥关键作用。？ ？图1 ？纳...
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微电子所在光电晶体管自适应储池计算方面取得进展
2023-06-26
边缘人工视觉系统因其在自动驾驶、智能家居、视频监控等场景的大量应用，已成为一个备受关注的研究领域。传统的人工视觉系统由于采用“感—存—算”分离的架构，大量冗余传感数据在不同模块间的频繁迁移导致了系统高延迟、高功耗。采用神经形态计算技术，开发集成传感、存储和处理与一体的感内或近感计算人工视觉系统是...
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微电子所在Chiplet热仿真模型及工具研究方面取得进展
2023-06-07
后摩尔时代，依靠缩小尺寸提升器件集成度的硅基CMOS技术面临物理原理和工艺技术的巨大挑战，具有高性能、低功耗和低成本优势的Chiplet技术成为延续摩尔定律的重要选择之一。以上模型和求解器能够实现Chiplet异构集成系统瞬态热流的高效精确仿真，为芯粒异构集成系统温度热点检测工具和温感布局优化算法的开发奠定了核心...
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微电子所在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得新进展
2023-05-30
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一，并在电子消费产品中得到大规模应用。针对上述问题，中科院微电子所刘新宇研究员团队基于自主搭建的硅基氮化镓横向功率器件动态可靠性测试系统，从物理角度提出了硅基氮化镓横向功率器件...
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柔性单晶硅太阳电池来了
2023-05-26
在“双碳”背景下，将太阳能转化为电能的光伏产业高速发展。其中，单晶硅太阳电池是主力军，在光伏市场的占有率已上升至95%以上。之所以热门，是因为单晶硅有太多优点。其一，硅元素是地球上含量最多的半导体元素，材料不缺；其二，成本较低；其三，硅片、单晶硅、太阳电池等很多工艺在传统半导体领域已非常成熟，可直接...
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微电子所在表面等离激元光纤生化传感器方面取得重要进展
2023-05-09
表面等离激元共振（ SPR ）光纤生化传感器因其体积小、抗干扰、高灵敏度、无标记、可实现远端检测等优势，在生化传感、即时现场检测（ POCT ） 、环境监测等领域有着广泛的应用潜力。近日，微电子所健康电子中心路鑫超、黄成军课题组在SPR光纤传感器方面取得一系列重要进展。课题组基于等离子体—光子腔复合结构，实现了...
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微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展
2023-05-09
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。针对此类问题与争论，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队从理论方面提出了载流子的“集体输运效...
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功率半导体封装测试再添“利器”
2023-05-06
近日，由中国科学院高能物理研究所济南研究部（济南中科核技术研究院）自主研发的全自动绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）缺陷X射线三维检测设备，在功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛上亮相。中国科学院高能物理研究所副研究员刘宝东介绍，目前，对IGBT检测的常用手段是超声检测，但这种方法非常容易受散热柱的干扰，导致...
综合新闻