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微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展
2024-01-15
人脑是一个高度整合的器官，通过多感官系统处理信息。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络用来模拟人类的耳朵捕捉声音信息，第3层器件一部分用于构建卷积神经网络模拟人类的眼睛捕捉图像信息，一部分构建全连接网络用于多感官信号的分类和识别。该成果以题High Area EfficiencyMultimodal Neuromorphic Comp...
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微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展
2024-01-15
随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，微电子所重点实验室刘明院士团队在2021年及2022年IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构。IGZO晶体管的基础上，分析了沉积IGZO沟道的ALD工艺对于器件性能及稳定性的调控作用，研究了堆叠第二层IG...
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微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展
2024-01-15
IGZO薄膜晶体管由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺，在新型DRAM的应用中备受关注。针对上述挑战，微电子所刘明院士团队与北京超弦存储研究院赵超研究员团队联合在2023年国际电子器件大会上首次报道了具有单元内阈值电压补偿技术的双栅IGZO 2T0C DRAM。电路层面上，提出了一种新型的双栅2T0C DRAM结构，通过全...
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微电子所在小尺寸独立双栅非晶IGZO晶体管紧凑模型领域取得重要进展
2024-01-15
超大规模独立双栅InGaZnO-FET具有低漏电、操作灵活和三维集成的特点，有望实现高能效和高密度的存内计算。针对上述问题，开发了一种可靠性感知的紧凑型模型，研究了纳米级IDG IGZO TFT的可靠性问题。微电子所博士生徐丽华、陈楷飞、李智为共同第一作者，微电子所窦春萌研究员、杨冠华研究员和汪令飞研究员为共同通讯作者...
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两院院士评选2023年中国/世界十大科技进展新闻揭晓
2024-01-12
该研究创造性地提出“稀土钇元素掺杂诱导二维相变理论”，并发明了“原子级可控精准掺杂技术”，从而成功克服了二维领域金属和半导体接触的国际难题；首次使得二维晶体管实际性能超过业界硅基10纳米节点Fin晶体管和国际半导体路线图预测的硅极限，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5V，将室温弹道率提升至所有晶体管最高...
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微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展
2024-01-12
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器...
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微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展
2024-01-12
传统贝叶斯机面临三大挑战：一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流。针对这些挑战，微电子所刘明院士团队首次构建了存储器和随机源融合的贝叶斯机。该研究成果以题为First Demonstration of a Bayesian Machine based on Unified Memory and Random Source Achieved by 16-layer Stacking 3D Fe-Diode w...
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微电子所在阻变存储器芯片创新应用研究取得进展
2024-01-12
阻变存储器因其高速、低功耗和可扩展性而被广泛用于实现边缘计算加速器。针上述问题，微电子所刘明院士团队基于RRAM阵列的原位乘加及低功耗特性，开发了RRAM存内计算芯片，结合微流控芯片搭建了异质集成及时检测系统，完成终端系统的识别功能。针对血液疾病早期检测，开发了细胞分级识别策略，将识别精度提高到92%。同时...
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微电子所在面向存内计算的多比特2T0C DRAM研究中取得重要进展
2024-01-11
为解决现代计算系统中（如云计算和人工智能）的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题，一种结合新型非晶态氧化铟镓锌（IGZO）薄膜材料的无电容（2T0C）DRAM结构，有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前，大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操...
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【新闻联播】新思想引领新征程 加强基础研究 夯实科技自立自强根基
2024-01-10
习近平总书记指出，应对国际科技竞争、实现高水平科技自立自强，推动构建新发展格局、实现高质量发展，迫切需要我们加强基础研究，从源头和底层解决关键技术问题。广大科技工作者牢记嘱托，切实加强基础研究，奋力推进关键核心技术攻关，为实现高水平科技自立自强、建设世界科技强国不断夯实根基。新年伊始，在中国科学...
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中国科学院举办2024跨年科学演讲
2024-01-05
2023年12月31日，中国科学院举办了以复兴路上的科学力量为主题的2024跨年科学演讲活动，并联合上海广播电视台日出东方科技追光跨年融媒直播，组成了超30小时的超级跨年直播。活动于2019年在中国科学院物理研究所首次举办，并从起初的3小时跨年演讲，发展为融演讲、探访、科学实验和慢直播为一体，由各领域院士专家、科普...
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中国科学院2024年度工作会议
2024-01-05
12月23日至24日，中国科学院在京召开2024年度工作会议。中国科学院院长、党组书记侯建国传达了习近平总书记重要指示批示精神，并作了题为《加快抢占科技制高点 为实现高水平科技自立自强和建设科技强国再立新功》的工作报告。会议以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，深入学习贯彻党的二十大和二十届二中全会精神...
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2023年终科技盘点
2024-01-05
回望2023年，全球科技发展日新月异，我国创新实力不断提升，取得一系列令人振奋的突破性进展和标志性成果。近期，中央各大媒体等陆续评选出2023年度国内国际科技进展新闻或发布年度科技进展回顾盘点。揭示衰老新机制、“中国天眼”探测到低频引力波存在证据、发现在盐碱地上促进粮食增产关键基因、制备51个超导量子比特...
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微电子所举办2023年“寻找科研新星”大赛
2024-01-04
12月19日，微电子所举办2023年青年技术能手大赛暨“寻找科研新星”大赛决赛。18名入围决赛的青年职工、研究生参与了“科研新星”桂冠角逐。党委书记、所长戴博伟，副所长李泠以及高频高压中心、EDA中心、科技处、人事处、教育处、所团委、所青促会等部门和组织负责同志出席了决赛并担任评委。
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这一年，我们的重大科技成就
2023-12-27
回顾2023年，高水平科技自立自强扎实推进，前沿领域发展快速，科技实力不断提升，一系列突破性进展、标志性成果令人振奋。我国高海拔宇宙线观测站“拉索”首次完整记录迄今最亮伽马暴的万亿电子伏特伽马射线爆发全过程， “拉索”国际合作组在此基础上精确测量了迄今最亮伽马暴的高能辐射能谱，刷新了对伽马暴的认知。这...
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微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
2023-12-11
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半导体材料在光电子、能源、通信等领域具有广泛的应用前景。随着下游新应用的快速发展以及衬底制...
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微电子所垂直纳米环栅器件研究又获突破
2023-11-24
在先进集成电路制造工艺中, 纳米环栅器件（GAA）正取代FinFET成为集成电路中的核心器件。垂直纳米环栅器件由于其在减小标准单元面积、缓解栅极长度限制、提高集成密度和改善寄生电容/电阻等方面具有独特优势, 成为先进逻辑和DRAM技术方面的重要研究方向。微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究团队于2016年首次提...
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王守武：为中国半导体奠基的“大王先生”
2023-11-17
1950年9月，已在美国普渡大学任教的王守武和夫人葛修怀决意放弃优厚的待遇，回到百废待兴的新中国。至于回国后做什么，王守武并没有设定目标。他只有一个朴素的想法，国家需要什么就干什么。虽然有美国名牌大学的博士学位加持，但31岁的王守武最初找工作并不顺利。从上海到北京，从同济大学到清华大学，他都没有找到合适...
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微电子所在低能耗垂直神经晶体管方面取得进展
2023-10-30
人工智能时代计算机日常需要处理的信息量急剧增加，如何在计算和存储等资源受限的边缘端快速、实时的处理信息已成为当前业界的共性需求。生物体的神经网络系统被认为是自然界中集感应、存储和计算一体化的系统，具有非常高效的信息处理能力，且工作能耗很低。受生物启发，开发神经形态器件及其阵列集成技术，构建类似生...
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微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展
2023-10-16
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（ Stacked Nanosheets GAA FET ）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（ FinFET ） ，从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求， GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（ Ion ）严重失配和阈值电压（ Vth ）调控困难等关键挑战，对纳米...
综合新闻