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新六边形硅有望催生下一代电子与能源设备
2021-06-08
美国科学家在最新一期《物理学评论快报》杂志撰文指出，他们开发了一种新方法，合成出了一种拥有六边形结构的新型晶型硅，这种晶型硅有可能被用于制造新一代电子和能源器件。虽然从理论上来说，很多硅的同素异形体拥有更好的物理性能，但由于缺乏合成途径，因此，很难发挥硅的最大潜力。”以前曾有其他科学家合成出六边...
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新型铌基纳米片欲破锂硫电池“穿梭”难题
2021-06-07
锂硫电池是以硫元素为电池正极，锂为负极的一种锂电池，具有价格低廉、环境友好、理论能量密度高等特点，被视为高比能电池中最具潜力的锂离子电池技术之一。作为锂硫电池的关键组成部分，电极材料的设计和制备对电池整体性能提升意义重大。近日，中科院大连化学物理研究所研究员吴忠帅团队，设计并制备出一种氮化铌—氧...
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黄如：后摩尔时代集成电路技术革新N分天下
2021-06-07
5月30日，中国科学院第二十次院士大会举行学部第七届学术年会全体院士学术报告会。中科院院士黄如在报告会上探讨了后摩尔时代集成电路技术的发展态势。她说，当前，集成电路技术发展进入重要的历史转折期，线宽缩小不再是唯一技术路线，而是走向功耗和应用为驱动的多样化发展路线，技术革新呈现 N 分天下的态势。进入后...
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翻转90°的电子世界，微电子所新型GAA结构研究获进展
2021-06-04
中科院微电子所近期发表了先导工艺研发中心团队在垂直纳米环栅器件领域获得的最新进展，该类型器件通过在垂直方向构建晶体管结构，大大减少了器件占用面积，在3nm以下先进集成电路制造工艺领域极具应用潜力。针对器件样品，研究了VSAFET的特性，以及金属硅化物工艺、 Si-Cap 、沟道Ge含量和热处理过程等器件性能影响因素...
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焦念东：探索微观世界的机器人
2021-06-01
不久前，包括中国科学家在内的国际团队研发出一种比发丝直径还小的“微型千纸鹤”，在电压的作用下，不到一秒就可以自动从平面折叠完成。作为一种大小只有几十微米的新型微型驱动器，这种充满想象力的千纸鹤是微纳米机器人研发领域的又一突破，有助于未来在微纳米水平上完成复杂而精细的工作。 人们对微纳米机器人的畅想...
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中科院首次在院士大会期间举办道德学风报告会
2021-05-31
“目前科学界更需要关注的是灰色地带的诚信问题，比如，用不实、浮夸方式报道自己的成果。中国科学院第二十次院士大会期间，中国科学院学部举行了“弘扬科学家精神和加强学风建设”报告会。在此基础上，结合本次院士大会召开，经中国科学院学部主席团研究审议，决定举办此次道德学风报告会。？这是中国科学院学部首次在...
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铋材料电极有望延续摩尔定律
2021-05-27
目前，半导体主流制程主要采用硅作为主流材料。然而，由于金属诱导隙态（ MIG ）金属-半导体界面上的能量势垒从根本上导致高接触电阻和低电流传输能力，迄今为止限制了二维半导体晶体管的改进。台湾大学、台积电与美国麻省理工学院使用半金属铋（ Bi ）材料制作二维材料的接触电极，可大幅降低电阻并提高电流，促进更小...
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微电子所在全线性神经元SOT磁性存储器件研究中取得新进展
2021-05-21
近期，微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组与中科院半导体所王开友研究员课题组合作研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（ SOT ）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，对基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。当前，存算一体和人工智能神经网络芯片领域亟需...
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连续波UV-B激光二极管
2021-05-17
来自名城大学、三重大学，旭化成公司和名古屋大学的研究小组实现了13.3kA / cm2的电流密度阈值，迄今为止，这是以300nm波长发射的UV-B激光二极管（ LD ）的最低阈值电流密度，他们的工作重点是优化波导厚度和包层结构。谐振器长度为2000 μ m ， p电极宽度为10 μ m的激光二极管的激光阈值电流密度为14.2kA/cm2 ，而该小...
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成果转化需要科研管理人员深度参与
2021-05-14
科技是第一生产力，但并不简单等同于生产力，只有把具有实用价值的科技成果商品化、产业化，科技才能变成生产力。笔者呼吁，高校和科研院所要更加重视科研管理人员在科技成果转化中的作用，出台相应的针对性激励措施，鼓励科研管理人员深度参与高校和科研院所成果转化，特别是重大科技成果的转化。笔者也建议，深度参与...
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新方法优化硅基自旋量子比特操控
2021-05-10
中国科学技术大学郭光灿院士团队郭国平、李海欧研究组与本源量子计算公司等合作，对集成微磁体的硅基量子点进行研究，发现了自旋量子比特操控的各向异性：通过改变外加磁场与硅片晶向的相对方向，可以将自旋量子比特的操控速率、退相干速率、可寻址性进行同时优化。然而，嵌入微磁体的硅基量子点会大幅增加电荷噪声对量...
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微电子所在氧化物栅控离子晶体管方面取得新进展
2021-04-28
随着人工智能、物联网等新兴信息技术的发展，信息处理已由计算密集型向数据密集型转移，亟需具有非结构化数据处理能力的低延时、低能耗边缘计算系统，满足终端设备对未来海量非结构化数据处理能力的需求。受生物启发的脉冲神经网络（ SNN ）因其使用稀疏、异步的脉冲序列作为输入/输出，并以存内计算的方式处理信息而具...
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“留光”1小时！我国科学家刷新世界纪录迈向“量子U盘”
2021-04-26
中国科学技术大学25日发布消息，该校李传锋、周宗权研究组近期成功将光存储时间提升至1小时，大幅刷新8年前德国团队创造的1分钟的世界纪录，向实现量子U盘迈出重要一步。光的存储在量子通信领域尤其重要，因为用光量子存储可以构建量子中继，从而克服传输损耗建立远程通信网。另一种远程量子通信解决方案是量子U盘，即把...
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硅片逻辑里的叠层III-V射频布线
2021-04-20
韩国的研究人员声称，针对栅长超过100nm的RF晶体管，采用硅电路的三维单片集成（M3D），可以实现最高截止频率和最大振荡频率。研究人员认为，III-V材料与硅电路的结合将促进毫米波范围内的混合信号射频模拟和数字逻辑功能的发展。III-V材料可通过分子束外延（MBE）在磷化铟（InP）衬底上生长。沟道区是砷化铟镓（InGaAs...
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用新方法观察高铟浓度InGaN LED中的成分波动
2021-04-20
来自新加坡麻省理工学院科技联合项目（SMART）的低能耗电子系统（LEES）跨学科研究小组（IRG）与麻省理工学院（MIT）和新加坡国立大学（NUS）共同找到了一种方法，以量化不同铟浓度下氮化铟镓（InGaN）量子阱（QWs）中成分波动的分布。InGaN发光二极管因其高效率、耐用性和低成本彻底改变了固态照明。可以通过改变InGaN...
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新型“双高”混合型电化学储能器件问世
2021-04-15
锂离子电池和超级电容器是常用的电化学储能器件。传统锂离子电池受限于迟缓的体相反应，功率性能较差；超级电容器利用快速表面过程存储电荷，能量密度较低，这两个“种子选手”并不适用于对能量和功率密度都有较高要求的应用场景。近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅团队在混合型电化学储能器件研制方面取...
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紫外光照射对氮化铝导电性的影响
2021-04-12
氮化铝具有6.1eV的超宽带隙，这对于制造大功率和高压电子产品而言具有诱人的吸引力，同时在约200nm波长范围内兼有深紫外光电子学的潜力。宽带隙材料在实现高电导率方面具有挑战性。改善AlN中的电导率涉及降低螺纹位错和铝空位硅（VAl-nSi）络合物的密度。这些缺陷通过俘获浅至约70meV供体态的电子，降低了硅作为掺杂剂的...
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一种新的超宽禁带半导体制造工艺
2021-04-09
超宽禁带半导体是指禁带宽度大于3.4eV的半导体材料，它的击穿电场、热导率、电子迁移率等性能，以及耐高压、耐高温、高频、抗辐射的能力均优于现有大规模应用的宽禁带半导体材料，在超高压电力电子器件、射频电子发射器、深紫外光电探测器和量子通信等领域具有广阔的应用前景。阿卜杜拉国王科技大学研究人员在蓝宝石衬底...
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叶甜春总师获颁第四届“IC创新奖”之“产业创新突出贡献奖获”
2021-04-01
2021年3月20日，在由国内顶级创新组织平台- -中国集成电路创新联盟（大联盟）组织召开的“ 2021集成电路产业链协同创新发展交流会”上，国家02科技重大专项技术总师、原中科院微电子所所长叶甜春获颁第四届“ IC创新奖”之“产业创新突出贡献奖” 。该奖项重点表彰在集成电路技术创新、成果产业化、产业链合作及创新发展...
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微电子所召开国家重点实验室重组工作动员部署会
2021-03-26
3月25日，微电子所组织召开国家重点实验室重组工作动员会。微电子所领导班子、党委委员、相关科研业务部门及机关职能部门负责人等共三十余人参加了会议。会议由党委书记、副所长（主持工作）戴博伟主持。他结合研究所前期国重实验室申报准备工作，对下一步工作进行部署，研究所将根据院国重体系重组的工作要求，全力以赴...
综合新闻