-
100Gb/s的全封装CWDM硅光子模块
2020-07-09
在欧盟COSMICC项目支持下,法国微纳米技术研发中心CEA-Leti展示了一种完全封装的粗波分复用( CWDM )硅光子收发器模块,每根光纤的数据传输速率为100Gb/s ,光电芯片上还集成有一个低功耗电芯片。基于硅光子学的收发器以50Gb / s的速率复用两个波长,旨在满足不断增长的数据通信需求以及数据中心和超级计算机的能耗。该...
-
深紫外发光二极管的载流子定位工程
2020-07-07
北京大学已采用深紫外( DUV ,波长小于300nm )发光的自组装侧壁量子阱( SQW )结构来改善基于氮化铝镓( AlGaN )化合物半导体合金的二极管的光输出功率性能。C面蓝宝石衬底上进行多量子阱( MQW )材料生长过程中的聚集效应。北京研究人员认为他们的SQW方法是一种潜在的“颠覆性框架” ,另外, SQW结构会产生载流子局...
-
新金属芯片能提高存储速度百倍
2020-07-03
更快、更密集的数据存储革命即将来临了吗?据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究,一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维( 2D )金属芯片,其厚度仅三个原子!在更节能的同时,储存速度提高了100倍之多,为开发下一代数据存储材料奠定了基础。在这次的新研究中,美国斯坦福大学、加州大学伯克利分校...
-
提高铟铝氮化镓势垒异质结构的迁移率
2020-06-28
台湾国立交通大学已使用氮化镓中间层( IL )来改善低成本硅上氮化铟铝镓( InAlGaN )阻挡层高电子迁移率晶体管( HEMT )的性能。研究提示IL的增长时间过长会导致InAlGaN势垒的表面退化,适合进行“阶梯流”生长,从而使表面更光滑,降低了样品深处的界面粗糙度。由于界面粗糙度的改善,合金和界面粗糙度的散射得到了有...
-
MEMS皮拉尼真空传感器
2020-06-24
皮拉尼( Pirani )真空计是基于热传导原理的真空计,基于传统热阻的皮拉尼真空技术在国际上已较为成熟,并有典型的真空传感器产品。为了实现宽范围量程的真空计量,往往需要通过组合多个真空计来实现。但由于传统的真空计体积较大,而真空组合模块的体积又进一步限制了其应用。中科院微电子所先导中心在微型MEMS皮拉尼...
-
微电子所在表面增强拉曼(SERS)生化检测研究领域取得进展
2020-06-22
近日,微电子所集成电路先导工艺研发中心陈大鹏研究员课题组与中北大学熊继军教授课题组合作在表面增强拉曼( SERS )生化检测研究领域取得了阶段性进展。课题组提出了一种基于纳米森林的超疏水高粘附基底用于分子的双重富集,所制备的3D结构的金/银纳米杂化结构能很好地将待测物分子限制在“热点”处,从而成功实现分子...
-
超冷原子量子计算与量子模拟领域获重大突破
2020-06-22
量子纠缠是量子计算的核心资源,量子计算的能力将随纠缠比特数目的增长呈指数增长。因此,高品质纠缠粒子对的同步制备是实现大规模纠缠态的首要条件。但是,受限于纠缠对的品质和量子逻辑门的操控精度,目前人们所能制备的最大纠缠态距离实用化的量子计算和模拟所需的纠缠比特数和保真度还有很大差距。光晶格超冷原子比...
-
III-V族光电材料及器件制备研究进展
2020-06-20
近些年来,中国大力发展的大数据、云计算、人工智能、量子技术以及诸多大科学装置是依赖于信息的快速获取、高速处理和高效传输,实现这一切的基础则是需要有性能更为强大的元器件作为保障。为此,人们一直通过不断提高提高微电子芯片的集成度来解决相关问题,目前, ASML EUV光刻系统可实现7 nm节点甚至更小尺度的晶体管...
-
微电子所在先进Co互连阻挡层研究领域取得进展
2020-06-17
近日,中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在先进Co互连阻挡层研究领域取得了阶段性进展。目前, W和Cu被广泛应用于互连线中,但随着互连线的线宽不断减小,电子表面散射与晶界散射会使得互连线电阻率受尺寸效应影响迅速增大。针对先进Co互连,课题组采用Co 、 Ti靶材共溅射方法制备了非晶CoTi...
-
中国科学家研发出新一代全钒液流电池电堆
2020-06-12
中国科学院大连化学物理研究所(以下简称“大连化物所” ) 11日发布消息称,该所研究员李先锋、张华民领导的科研团队近日成功研发出新一代低成本、高功率全钒液流电池电堆。而相对于传统全钒液流电池电堆,新一代电堆采用的可焊接多孔离子传导膜可以提升离子选择性,提高电解液的容量保持率,此外,多孔离子传导膜的成本...
-
北京发布“新基建”方案,5G、人工智能、区块链成关键词
2020-06-11
6月9日,北京发布《关于加快培育壮大新业态新模式促进北京经济高质量发展的若干意见》以及五个行动方案,其中包括《北京市加快新型基础设施建设行动方案( 2020-2022年) 》 (以下简称《新型基础设施建设行动方案》 ) 。《新型基础设施建设行动方案》明确,到2022年,北京基本建成具备网络基础稳固、数据智能融合、产...
-
使用常关晶体管的硅上氮化镓互补逻辑结构
2020-06-09
美国和中国的研究人员已经在硅衬底上的互补逆变器电路中集成了氮化镓n和p沟道场效应晶体管(FET)。该制造避免了可能增加生产成本的复杂的再生步骤,该电路使用增强模式(常关)器件,从而降低了功耗。研究人员认为,单片集成是通过减小驱动器电路和栅极之间的寄生电感来提高功率器件开关速度的关键方法。任何互补逻辑技...
-
万里之行 始于“硅”步
2020-06-05
当前,锂离子电池因其优异的性能,已经在纯电动汽车、混合动力汽车以及储能等领域广泛应用。李泓向《中国科学报》介绍说,目前商业化的锂离子电池主要是以石墨为负极材料,他的目标则是“硅碳”。为什么选择硅碳作为负极材料?李泓解释道,硅材料的质量比容量最高可达4200mAh/g,远大于石墨的372mAh/g,是目前已知能用于...
-
铁电材料新发现有助研发超高密度信息存储器件
2020-06-04
中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心马秀良研究团队在氧化物铁电材料中发现半子( Meron ,音译为“麦纫” )拓扑畴以及周期性半子晶格。这一发现是继通量全闭合之后,该研究团队在有关铁电材料拓扑畴结构方面的又一项新突破,这为与铁磁材料类比的结构特性再添新的实质性内容,也为探索基于铁电材料的高密度信息存...
-
万劲波:提升科技创新治理能力
2020-06-04
在全球经济衰退背景下,科技的渗透性、引领性、扩散性、颠覆性等特征,正在对全球产业链和治理体系产生深刻影响。新一轮科技革命和产业变革成为引发国际格局和治理体系调整的核心驱动力,科技创新治理的重要性不断提升。部门和地方要切实结合部门、地方实际,从“治理”视角来推进政府职能转变,明确职责分工,优化“四...
-
ASML官宣全新半导体技术:5nm工艺产能有望暴涨600%
2020-06-03
荷兰ASML公司是全球唯一的EUV光刻机供应商, 7nm及以下的工艺生产都要靠他们的设备。ASML研发的这个HMI eScan1000机器就是一台验证先进工艺生产出来的晶圆质量的系统,工艺越先进,检测系统就越重要,它的检测精度、吞吐量决定了生产的效率。ASML的HMI eScan1000的突破之处在于能够同时产生、控制九道电子束,所以产能提...
-
负电容环栅纳米线晶体管-电路仿真研究
2020-06-02
摩尔定律推动了持续50年的集成电路的发展,然而,时至今日,由于物理极限的限制,晶体管的进一步微缩已经举步维艰。为了进一步增加集成电路性价比,一些基于新原理、新材料、新工艺的晶体管不断被提出,其中负电容场效应晶体管是近年来被广泛研究的对象之一。负电容晶体管可以克服“玻尔兹曼热限制” ,即在室温下突破亚...
-
微电子所先导中心准原子层刻蚀技术最新进展
2020-06-02
近日,中科院微电子所先导中心在美国电化学会《固态科学与技术杂志》发表了文章: Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1 - xGex ( DOI : 10.1149/2162 - 8777 / AB80AE ) 。文章系统介绍了一种全新的集成电路刻蚀技术:各向同性和硅选择性的锗硅准原子层刻蚀技术( quasi - Atomic...
-
北斗芯片SIP封装及集成电路设计项目落户珠海
2020-05-29
5月26日,珠海市举行重点产业项目集中签约仪式,涉及32个项目,总投资额567亿元。以下是此次签约的部分项目:中青北斗Sip芯片封装及集成电路设计、封装智能制造产业项目,拟投资50亿元建设sip系统级封装项目基地,将先进的北斗信息技术融入现实5G物联网时代。该项目打造高端汽车零部件智能制造基地项目,提供汽车零部件...
-
STT-MRAM器件与集成技术研究
2020-05-29
近日,中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。课题组联合北航赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司,基于8 吋 CMOS先导工艺研发线,自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块,在国内首次实...
综合新闻