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北京发布“新基建”方案，5G、人工智能、区块链成关键词
2020-06-11
6月9日，北京发布《关于加快培育壮大新业态新模式促进北京经济高质量发展的若干意见》以及五个行动方案，其中包括《北京市加快新型基础设施建设行动方案（ 2020-2022年） 》 （以下简称《新型基础设施建设行动方案》 ） 。《新型基础设施建设行动方案》明确，到2022年，北京基本建成具备网络基础稳固、数据智能融合、产...
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使用常关晶体管的硅上氮化镓互补逻辑结构
2020-06-09
美国和中国的研究人员已经在硅衬底上的互补逆变器电路中集成了氮化镓n和p沟道场效应晶体管（FET）。该制造避免了可能增加生产成本的复杂的再生步骤，该电路使用增强模式（常关）器件，从而降低了功耗。研究人员认为，单片集成是通过减小驱动器电路和栅极之间的寄生电感来提高功率器件开关速度的关键方法。任何互补逻辑技...
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万里之行 始于“硅”步
2020-06-05
当前，锂离子电池因其优异的性能，已经在纯电动汽车、混合动力汽车以及储能等领域广泛应用。李泓向《中国科学报》介绍说，目前商业化的锂离子电池主要是以石墨为负极材料，他的目标则是“硅碳”。为什么选择硅碳作为负极材料？李泓解释道，硅材料的质量比容量最高可达4200mAh/g，远大于石墨的372mAh/g，是目前已知能用于...
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铁电材料新发现有助研发超高密度信息存储器件
2020-06-04
中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心马秀良研究团队在氧化物铁电材料中发现半子( Meron ，音译为“麦纫” )拓扑畴以及周期性半子晶格。这一发现是继通量全闭合之后，该研究团队在有关铁电材料拓扑畴结构方面的又一项新突破，这为与铁磁材料类比的结构特性再添新的实质性内容，也为探索基于铁电材料的高密度信息存...
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万劲波：提升科技创新治理能力
2020-06-04
在全球经济衰退背景下，科技的渗透性、引领性、扩散性、颠覆性等特征，正在对全球产业链和治理体系产生深刻影响。新一轮科技革命和产业变革成为引发国际格局和治理体系调整的核心驱动力，科技创新治理的重要性不断提升。部门和地方要切实结合部门、地方实际，从“治理”视角来推进政府职能转变，明确职责分工，优化“四...
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ASML官宣全新半导体技术：5nm工艺产能有望暴涨600%
2020-06-03
荷兰ASML公司是全球唯一的EUV光刻机供应商， 7nm及以下的工艺生产都要靠他们的设备。ASML研发的这个HMI eScan1000机器就是一台验证先进工艺生产出来的晶圆质量的系统，工艺越先进，检测系统就越重要，它的检测精度、吞吐量决定了生产的效率。ASML的HMI eScan1000的突破之处在于能够同时产生、控制九道电子束，所以产能提...
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负电容环栅纳米线晶体管-电路仿真研究
2020-06-02
摩尔定律推动了持续50年的集成电路的发展，然而，时至今日，由于物理极限的限制，晶体管的进一步微缩已经举步维艰。为了进一步增加集成电路性价比，一些基于新原理、新材料、新工艺的晶体管不断被提出，其中负电容场效应晶体管是近年来被广泛研究的对象之一。负电容晶体管可以克服“玻尔兹曼热限制” ，即在室温下突破亚...
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微电子所先导中心准原子层刻蚀技术最新进展
2020-06-02
近日，中科院微电子所先导中心在美国电化学会《固态科学与技术杂志》发表了文章： Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1 - xGex （ DOI ： 10.1149/2162 - 8777 / AB80AE ） 。文章系统介绍了一种全新的集成电路刻蚀技术：各向同性和硅选择性的锗硅准原子层刻蚀技术（ quasi - Atomic...
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北斗芯片SIP封装及集成电路设计项目落户珠海
2020-05-29
5月26日，珠海市举行重点产业项目集中签约仪式，涉及32个项目，总投资额567亿元。以下是此次签约的部分项目：中青北斗Sip芯片封装及集成电路设计、封装智能制造产业项目，拟投资50亿元建设sip系统级封装项目基地，将先进的北斗信息技术融入现实5G物联网时代。该项目打造高端汽车零部件智能制造基地项目，提供汽车零部件...
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STT-MRAM器件与集成技术研究
2020-05-29
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。课题组联合北航赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8 吋 CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块，在国内首次实...
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科学家制备高密度半导体阵列碳纳米管材料
2020-05-27
在诸多新型半导体材料中，半导体碳纳米管是构建高性能互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的理想沟道材料。已公开的理论计算和实验结果均表明，碳管CMOS晶体管采用平面结构即可缩减到5纳米栅长，且较同等栅长的硅基CMOS器件具有10倍的本征性能—功耗综合优势。碳纳米管集成电路批量化制备的前提是超高半导体纯度、顺排、高...
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硅工艺兼容的超短栅长二硫化钼晶体管研制
2020-05-26
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在新型二维材料器件面向未来集成电路集成应用研发中取得重要进展，结合硅基FinFET工艺成功研制出10nm超短物理栅长二硫化钼晶体管，实现电流开关比达到107 。二维半导体材料具有原子级的厚度，被用作晶体管的沟道材料时，可提高栅电极控制沟道中载流子传输的能力，...
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硅基超表面领域取得重要研究进展——一种助于空间频率复用的技术
2020-05-26
中科院微电子所杨妍副研究员与武汉大学郑国兴教授课题组, 武汉邮电科学研究院有限公司等合作在硅基超表面领域取得重要研究进展。他(她)们提出了一种助于空间频率复用的技术，在一个硅基超表面上重叠的空间区域上，利用空频信息不同、同时记录两幅完全不同的光学图像，并可用数字滤波器进行高效的分离。该方案为超表面信...
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硅基单片砷化铟量子点雪崩光电二极管
2020-05-22
美国和中国的研究人员合作开发了具有低暗电流和高增益的。硅基单片砷化铟( InAs )量子点( QD )雪崩光电二极管( APD )结构。当考虑到高达323K （ 50 ° C ）的高增益和低暗电流性能时，这些APD在超级计算机和数据中心内的节能互连中具有巨大的应用潜力。研究人员指出， 33nA暗电流值比Si / Ge APD ， Si上的InGaAs / InAl...
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Ⅳ族GeSn纳米线研究中取得进展
2020-05-21
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在Ⅳ族GeSn纳米线生长制备及其光电探测应用中取得进展，相关工作以Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector为题发表在Nano Letters期刊上( Nano Lett . 2020 .由于GeSn具有较窄的禁带宽度，因此基于GeSn/Ge...
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锗硅高迁移率沟道器件技术与集成工艺研发阶段性进展
2020-05-20
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心王文武/李永亮课题组在锗硅高迁移率沟道器件技术与集成工艺研究领域取得了阶段性进展。课题组提出了一种在三层应变缓冲层（ SRB ）上外延锗硅材料的技术，并通过锗硅鳍（ Fin ）刻蚀、新的浅槽隔离（ STI ）工艺等关键模块研发，成功实现了50%锗硅Fin的导入集成，为锗...
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科学家研发出新型镁基双离子电池
2020-05-20
近日，中国科学院深圳先进技术研究院唐永炳团队，研发出了一种基于不溶性有机负极材料的镁基双离子电池。相关成果发表于《能源存储材料》 。该项目有望为发展新型镁离子电池电极材料及器件提供新的思路。另一方面，不同于锂离子可以轻松地在正负极材料之间快速运输，镁离子由于带电荷较多，进入脱出正极材料结构的速度慢...
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新型拓扑材料外尔半导体研究中取得进展
2020-05-19
在新型量子材料中，具有特殊能带结构的拓扑材料也兼具新奇电子输运特性。近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中科院强耦合量子材料物理重点实验室教授曾长淦研究组与王征飞研究组实验与理论合作，首次在单元素半导体碲中发现了由外尔费米子主导的手性反常现象以及以...
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高对比度光栅III氮化物垂直腔面发射激光二极管
2020-05-18
来自台湾和瑞典的研究人员首次展示了将高折射率光栅（ HCG ）作为顶镜的III型氮化物（ III-N ）垂直腔面发射激光器（ VCSEL ）二极管。先制造VCSEL ，再处理与硅基板的热压倒装芯片键合，激光剥离去除了蓝宝石衬底，并且还使用化学机械抛光（ CMP ）去除了其他GaN材料，从而形成了厚度为5 μ m的n-GaN表面。研究人员报告...
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我国开发新型飞秒激光等离子激元光刻技术 可加工石墨烯
2020-05-11
石墨烯被发现以来，二维材料逐渐进入人们视野，成为材料领域的研究热点。自组装、电子束刻蚀和极紫外光刻等技术可以在石墨烯上制备微纳结构，进而调控其带隙、吸收、载流子迁移率等性能。但这些技术存在着耗时长、成本高、缺乏通用性等问题。因此，如何降低成本，高效制备微纳结构石墨烯，是目前需要解决的重要问题。飞...
综合新闻