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微电子所在基于先进FinFET工艺的硅量子器件研究中获进展
2021-02-09
量子计算是未来信息技术发展的重要方向，在一些特定领域具有较大应用潜力。基于硅量子点的量子比特是实现通用量子计算最有前景的方案之一，具有较长的退相干时间和出色的CMOS制造工艺兼容性。目前，硅量子点量子计算正处在采用集成电路先进制造工艺实现量子点规模集成并进行量子比特扩展验证的关键研究阶段。近期，中国...
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中国科学院2021年度工作会议
2021-01-18
1月15日至16日，中科院召开2021年度工作会议。中科院院长、党组书记侯建国代表院党组和院务会议作工作报告，副院长、党组副书记阴和俊及全体院领导出席会议。国家部委相关部门负责人应邀参加会议。本次会议是在“十四五”开局之年、中科院开启全面实现“四个率先”新征程的关键之年召开的重要会议。会议围绕深入学习贯彻...
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按需式读取的可集成固态量子存储器问世
2021-01-05
中国科学技术大学郭光灿院士团队李传锋、周宗权研究组在量子存储领域取得重要进展，首次实现按需式读取的可集成固态量子存储器。该成果日前发表于《物理评论快报》 ，对于实现大容量量子存储、构建量子网络具有重要意义。基于量子存储器的量子中继或量子U盘可有效克服信道损耗、拓展量子网络工作距离。李传锋、周宗权研...
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微电子所召开“十四五”规划战略研讨会
2020-12-31
12月21日、 22日，微电子所“十四五”规划战略研讨会在北京召开。微电子所领导班子、学术委员会主任刘明院士、学术委员会委员、特邀研究员、研发中心主任及副主任、职能部门处长及副处长、青年科研人员代表共110余人参加了会议。会议分别由副所长王文武，党委副书记、纪委书记赵志刚，副所长曹立强主持。党委书记、副所...
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2020，中国创新闪耀自立自强光芒
2020-12-29
6月23日，中国北斗三号全球卫星导航系统最后一颗组网卫星在西昌卫星发射中心点火升空。例如，中国北斗卫星导航系统首次应用于珠峰峰顶大地高计算，中国国产重力仪首次登顶实测峰顶重力值，中国首次综合运用航空遥感、激光雷达、卫星遥感等对珠峰冰川、实景三维进行研究… …一系列高精尖测量技术的运用与中国近年来始终...
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利用二氧化硅阵列基板促进蓝光发射
2020-12-24
武汉大学报告称，与在图案化蓝宝石上生长的类似器件相比，在用图案化蓝宝石与二氧化硅阵列（ PSSA ）衬底上生长的氮化铟镓（ InGaN ）蓝色发光二极管（ LED ）的光输出功率提高了16.5 ％ 。这项工作表明，在高分辨率显示器的高性能LED的开发方面迈出了重要的一步。其他潜在的应用可能来自可见光通信（ VLC ） 、汽车前照...
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硅光子学工艺中的超致密光学互连
2020-12-15
作为多年技术和制造合作伙伴关系的一部分，美国加利福尼亚州的Ayar实验室已经在基于GlobalFoundries的45纳米CMOS制程工艺的下一代光子学解决方案上展示了其专利单片电子/光子解决方案。这是一个行业首创，为人工智能（ AI ） 、高性能计算（ HPC ） 、云、电信和航空航天等数据密集型应用提供大规模芯片到芯片光学连接，...
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微电子所在表面增强拉曼（SERS）生化检测研究领域取得进展
2020-06-22
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叶甜春：面对竞争，中国或许可以着手建立一个全球合作新生态
2020-12-07
2021环球时报年会12月5日在北京举行，本次年会的主题是“疫情下世界危局与变局” 。在议题四“化解‘卡脖子’会不会走入新误区”的讨论中，中科院集成电路创新研究院（筹）院长叶甜春表示，面对竞争，中国或许可以着手建立一个“以我为主、不依赖于某一个国家的”全球合作新生态。叶甜春认为，中国已经有非常强的综合科...
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提高p-GaN栅极HEMT的可靠性
2020-11-30
香港科技大学使用氮氧化镓（GaON）表面增强层（SRL）来提高p型栅极GaN沟道功率高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极电压窗口和长期可靠性。与其他有关p-GaN HEMT的报告相比，该设备在10年的使用寿命中提供了最高的最大栅极电压。对于p-GaN栅极HEMT，研究人员使用了专为E模式p-GaN栅极功率HEMT设计的6英寸硅上GaN（GaN/Si）...
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GaN LED的MOCVD隧道结
2020-11-17
美国加州大学圣塔芭芭拉分校（ UCSB ）通过金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）生长的隧道结微米级蓝色发光二极管（ TJ μ LED ）具有迄今为止记录的最高性能。研究人员在蓝宝石上使用了商用蓝色LED材料作为TJ结构过度生长的模板。通过热退火分解p-GaN中的Mg-H络合物并去除氢原子是激活p-GaN的关键点，最后进行LED的制造。...
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物理所等在磁性外尔半金属中首次提出“自旋轨道极化子”概念
2020-11-10
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控，有望用于构筑未来实用化的自旋量子器件，是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。近年来，基于过渡金属的笼目晶格（ kagome lattice ）化合物成为揭示和探索包括几何阻挫、关联效应和磁性以及量子电子态的拓扑行为等丰富物理学性质的新颖材料平台。在这些近层状堆叠的晶...
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用于物联网尘埃的III-V光伏器件
2020-11-09
美国IBM T J Watson研究中心开发了一种晶圆级封装工艺，将III-V光伏（ PV ）器件与电子元件集成起来，以实现物联网（ IoT ）应用。研究人员声称，他们的尘埃大小的器件“比所有先前在硅（ Si ）和绝缘体上的硅（ SOI ）衬底上的微pv获得更高的功率密度” 。研究人员报告说： “我们的研究表明，我们的单片集成微型光伏是...
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IGaN通过150mm的GaN-on-Si外延片实现低传导损耗，适用于RF应用
2020-11-09
新加坡IGSS GaN Pte Ltd （ IGaN ）指出，近年来，由于GaN功率和RF器件在各种应用中的采用越来越多， GaN基产品的需求不断增长。该公司开发并商业化了GaN-on-Si / SiC外延晶片和专有的8英寸（ 200毫米） GaN制造技术，用于功率、 RF和传感器应用。GaN基材料的宽禁带可提供显著的击穿电场和高漂移速度，适用于制造大功率...
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优化SiC MOSFET性能
2020-11-05
美国纽约州立大学理工学院（ SUNY Poly ）的两名研究人员声称4H多型碳化硅（ SiC ）侧向金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）具有创纪录的性能。特别是栅漏间距为2.5 μ m的0.3 μ m沟道器件可实现7.7m Ω - cm2的比导通电阻和450V击穿。两名研究人员设计了各种尺寸不同的MOSFET ，衬底具有6 μ m重掺杂n +漂移层。...
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叶甜春当选中国半导体行业协会集成电路分会新任理事长，于燮康当选常务副理事长
2020-10-28
10月15日，中国半导体行业协会集成电路分会第七届会员大会在上海召开。会议认为，在我国集成电路产业新一轮发展过程中，集成电路分会要更好地发挥桥梁和纽带作用，凝聚广大会员单位和产业链相关企业的力量，营造产业持续发展的生态环境，进一步加强行业交流合作，促进创新发展，增强互利共赢，促进我国集成电路制造业技...
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刘明：核心技术发展没有捷径和弯道
2020-10-27
10月22 ~ 24日，为期三天的2020中国计算机大会（ CNCC2020 ）在北京举行。在作大会特邀报告时，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明表示，就集成电路而言， “核心技术的发展没有捷径和弯道，需要夯实基础，长远布局” 。据介绍，近10年来，中国集成电路产业维持高速成长，年均复合增长率超过20% 。政府对...
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多量子阱（MQW）III氮化物二极管阵列的同时发射检测能力
2020-10-26
中国和日本的研究人员一直在探索多量子阱（ MQW ） III氮化物二极管阵列的同时发射检测能力。研究团队希望可以用这种多功能设备，开发用于物联网（ IoT ）部署的先进整体式III族氮化物信息系统。III族氮化物二极管具有发射和检测光的能力。研究人员实现了自动光亮度控制设置，其中405nm激光指示器可以发出编码的脉冲序列...
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超低暗电流高性能近红外硅基光电探测器研究获进展
2020-10-22
以光为信息载体实现通信的光通信技术，凭借优异的速度传输性能和强大的信息容量成为现代社会最重要的技术之一。执行光电信号转换的光电探测器是光电链路的基本组成部分之一，虽然硅基光电探测器广泛应用于可见光谱范围（ 0.4 - 0.7 μ m ） ，但通讯窗口1.31 μ m和1.55 μ m的近红外光子能量并不足以克服Si带隙（ 1.12 ...
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台积电2nm工艺将采用环绕栅极晶体管技术
2020-10-21
据国外媒体报道，在5nm工艺今年一季度投产，为苹果等客户代工最新的处理器之后，芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。在7月16日的二季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家透露，他们3nm工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（ FinFET ） ，计划在明年风险试...
综合新闻