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GaN LED的MOCVD隧道结
2020-11-17
美国加州大学圣塔芭芭拉分校（ UCSB ）通过金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）生长的隧道结微米级蓝色发光二极管（ TJ μ LED ）具有迄今为止记录的最高性能。研究人员在蓝宝石上使用了商用蓝色LED材料作为TJ结构过度生长的模板。通过热退火分解p-GaN中的Mg-H络合物并去除氢原子是激活p-GaN的关键点，最后进行LED的制造。...
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物理所等在磁性外尔半金属中首次提出“自旋轨道极化子”概念
2020-11-10
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控，有望用于构筑未来实用化的自旋量子器件，是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。近年来，基于过渡金属的笼目晶格（ kagome lattice ）化合物成为揭示和探索包括几何阻挫、关联效应和磁性以及量子电子态的拓扑行为等丰富物理学性质的新颖材料平台。在这些近层状堆叠的晶...
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用于物联网尘埃的III-V光伏器件
2020-11-09
美国IBM T J Watson研究中心开发了一种晶圆级封装工艺，将III-V光伏（ PV ）器件与电子元件集成起来，以实现物联网（ IoT ）应用。研究人员声称，他们的尘埃大小的器件“比所有先前在硅（ Si ）和绝缘体上的硅（ SOI ）衬底上的微pv获得更高的功率密度” 。研究人员报告说： “我们的研究表明，我们的单片集成微型光伏是...
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IGaN通过150mm的GaN-on-Si外延片实现低传导损耗，适用于RF应用
2020-11-09
新加坡IGSS GaN Pte Ltd （ IGaN ）指出，近年来，由于GaN功率和RF器件在各种应用中的采用越来越多， GaN基产品的需求不断增长。该公司开发并商业化了GaN-on-Si / SiC外延晶片和专有的8英寸（ 200毫米） GaN制造技术，用于功率、 RF和传感器应用。GaN基材料的宽禁带可提供显著的击穿电场和高漂移速度，适用于制造大功率...
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优化SiC MOSFET性能
2020-11-05
美国纽约州立大学理工学院（ SUNY Poly ）的两名研究人员声称4H多型碳化硅（ SiC ）侧向金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）具有创纪录的性能。特别是栅漏间距为2.5 μ m的0.3 μ m沟道器件可实现7.7m Ω - cm2的比导通电阻和450V击穿。两名研究人员设计了各种尺寸不同的MOSFET ，衬底具有6 μ m重掺杂n +漂移层。...
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叶甜春当选中国半导体行业协会集成电路分会新任理事长，于燮康当选常务副理事长
2020-10-28
10月15日，中国半导体行业协会集成电路分会第七届会员大会在上海召开。会议认为，在我国集成电路产业新一轮发展过程中，集成电路分会要更好地发挥桥梁和纽带作用，凝聚广大会员单位和产业链相关企业的力量，营造产业持续发展的生态环境，进一步加强行业交流合作，促进创新发展，增强互利共赢，促进我国集成电路制造业技...
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刘明：核心技术发展没有捷径和弯道
2020-10-27
10月22 ~ 24日，为期三天的2020中国计算机大会（ CNCC2020 ）在北京举行。在作大会特邀报告时，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明表示，就集成电路而言， “核心技术的发展没有捷径和弯道，需要夯实基础，长远布局” 。据介绍，近10年来，中国集成电路产业维持高速成长，年均复合增长率超过20% 。政府对...
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多量子阱（MQW）III氮化物二极管阵列的同时发射检测能力
2020-10-26
中国和日本的研究人员一直在探索多量子阱（ MQW ） III氮化物二极管阵列的同时发射检测能力。研究团队希望可以用这种多功能设备，开发用于物联网（ IoT ）部署的先进整体式III族氮化物信息系统。III族氮化物二极管具有发射和检测光的能力。研究人员实现了自动光亮度控制设置，其中405nm激光指示器可以发出编码的脉冲序列...
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超低暗电流高性能近红外硅基光电探测器研究获进展
2020-10-22
以光为信息载体实现通信的光通信技术，凭借优异的速度传输性能和强大的信息容量成为现代社会最重要的技术之一。执行光电信号转换的光电探测器是光电链路的基本组成部分之一，虽然硅基光电探测器广泛应用于可见光谱范围（ 0.4 - 0.7 μ m ） ，但通讯窗口1.31 μ m和1.55 μ m的近红外光子能量并不足以克服Si带隙（ 1.12 ...
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台积电2nm工艺将采用环绕栅极晶体管技术
2020-10-21
据国外媒体报道，在5nm工艺今年一季度投产，为苹果等客户代工最新的处理器之后，芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。在7月16日的二季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家透露，他们3nm工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（ FinFET ） ，计划在明年风险试...
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上海硅酸盐所有机热电材料研究取得进展
2020-10-20
有机聚合物热电材料是一类新兴的可实现热与电直接转换的清洁能源材料，这类材料可溶液加工、质轻价廉、具有优异的柔韧性，在可穿戴电子器件领域具有潜在应用价值。与无机热电材料相比，聚合物热电材料种类匮乏、热电转换性能低，主要原因是缺乏对分子结构与热电性能关系的深入认识。化学掺杂是提高聚合物导电能力、调控...
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具有n型脊的硅衬底InGaN激光器
2020-10-19
中国苏州纳米技术与纳米仿生研究所（ SINANO ）已在硅上使用n型脊形波导（ nRW ）制造了氮化铟镓（ InGaN ）发射紫光的激光二极管（ LDs ） ，与pRW LDs相比，其电阻更低，热性能更好。普通工艺要求基于InGaN的激光二极管中的RW位于器件的p侧，但p-GaN的电阻比n-GaN的电阻大得多，因此出现了热和电问题。该团队认为nRW-L...
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意法半导体推出首款集成在一个封装中的硅基驱动器和GaN晶体管
2020-10-15
瑞士意法半导体（ STMicroelectronics ）推出了MasterGaN ，是第一个嵌入硅基半桥驱动芯片以及一对氮化镓（ GaN ）晶体管的平台。这个集成化的解决方案将加速下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发，并用于高功率电子和工业应用。据估计，借助GaN技术和ST的集成产品，充电器和适配器将比普通硅基解决方案的尺寸缩小8...
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错配位错提升了硅基量子点激光器的性能
2020-10-14
美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校（ UCSB ）的研究人员采用了失配位错（ MD ）移离阱内量子点有源层，提高了硅基砷化铟量子点激光二极管（ InAs QD LD ）的性能。然后，研究人员生产了激光结构，并制成了3 μ mx1.5mm的脊形波导激光二极管。使用断层扫描技术进行的更深入检查表明，存在陷阱层，也存在一些螺纹位错滑移，...
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苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展
2020-10-09
氮化镓（ GaN ）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比， GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示， GaN器件适用于68%的功率器件市场。在功率转换电路中应用GaN器件可消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，...
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微电子所在SERS液滴生化传感器研究方向取得进展
2020-09-29
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心陈大鹏研究员课题组与中北大学熊继军教授课题组合作在表面增强拉曼（ SERS ）生化检测研究领域取得了阶段性进展。此类传感器相比同类液相环境下检测的传感器，表现出更高的检测能力，能够实现对罗丹明6G的低极限检测（ 100 fM ） ，对液体活检分析中常用的功能性探针分子（对氨基...
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SOI上的InAs量子点激光二极管
2020-09-29
中国研究人员发布第一个在绝缘体上硅（ SOI ）衬底上的电泵浦砷化铟量子点砷化镓基质（ InAs / GaAs QD ）窄脊Fabry-Perot （ FP ）激光器。激光器的有源区域由GaAs矩阵中的7层InAs QD组成，形成了井中点（ DWELL ）结构。注入电流为200mA 、 240mA时，脉冲模式下的输出功率，前者小于5mW ，后者最大为6.5mW 。研究小组...
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BiTeSe光电功能器件
2020-09-29
中国河北大学宣布使用铋碲硒（ Bi2Te2.7Se0.3 ）开发了一系列光电功能器件。该材料具有0.16eV的窄带隙的二维结构。研究人员认为这使将来可能实现在一个设备中结合信息通信、计算和存储功能。光学照明产生自由移动的电子-空穴对-电子朝着被俘获的Pd电极移动，在铋碲硒/ SiO2界面上留下正电荷。研究人员使用该结构实现了“...
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上海微系统所等制备出手性可控的石墨烯纳米带
2020-09-24
石墨烯纳米带（ GNR ）是一种准一维的石墨烯纳米结构，根据结构不同可表现出准金属或半导体特性。该特性取决于GNR的手性，包括宽度、晶格取向和边缘结构。根据不同的边缘结构， GNR可分为“锯齿型” （ ZZ ）和“扶手椅型” （ AC ） 。GNR具有高迁移率和载流能力，且由于量子限域和边缘效应，其能够开启带隙。该特性使G...
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多孔GaN上的绿光和橙光LED
2020-09-21
美国UCSB一直在使用氮化镓多孔化工艺来增加氮化铟镓（ InGaN ）微米级发光二极管（ μ LED ）的波长。多孔GaN的刚性较差，因此覆盖InGaN的“伪衬底” （ PS ）层的应变较小。该团队首先研究了具有4 ％ mx4 μ m面积的LED的平均发光波长（ EL ） ，这些尺寸的LED具有铟含量为4 ％的基础InGaN层。发射波长在很大程度上与μ...
综合新闻