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上海硅酸盐所有机热电材料研究取得进展
2020-10-20
有机聚合物热电材料是一类新兴的可实现热与电直接转换的清洁能源材料，这类材料可溶液加工、质轻价廉、具有优异的柔韧性，在可穿戴电子器件领域具有潜在应用价值。与无机热电材料相比，聚合物热电材料种类匮乏、热电转换性能低，主要原因是缺乏对分子结构与热电性能关系的深入认识。化学掺杂是提高聚合物导电能力、调控...
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具有n型脊的硅衬底InGaN激光器
2020-10-19
中国苏州纳米技术与纳米仿生研究所（ SINANO ）已在硅上使用n型脊形波导（ nRW ）制造了氮化铟镓（ InGaN ）发射紫光的激光二极管（ LDs ） ，与pRW LDs相比，其电阻更低，热性能更好。普通工艺要求基于InGaN的激光二极管中的RW位于器件的p侧，但p-GaN的电阻比n-GaN的电阻大得多，因此出现了热和电问题。该团队认为nRW-L...
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意法半导体推出首款集成在一个封装中的硅基驱动器和GaN晶体管
2020-10-15
瑞士意法半导体（ STMicroelectronics ）推出了MasterGaN ，是第一个嵌入硅基半桥驱动芯片以及一对氮化镓（ GaN ）晶体管的平台。这个集成化的解决方案将加速下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发，并用于高功率电子和工业应用。据估计，借助GaN技术和ST的集成产品，充电器和适配器将比普通硅基解决方案的尺寸缩小8...
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错配位错提升了硅基量子点激光器的性能
2020-10-14
美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校（ UCSB ）的研究人员采用了失配位错（ MD ）移离阱内量子点有源层，提高了硅基砷化铟量子点激光二极管（ InAs QD LD ）的性能。然后，研究人员生产了激光结构，并制成了3 μ mx1.5mm的脊形波导激光二极管。使用断层扫描技术进行的更深入检查表明，存在陷阱层，也存在一些螺纹位错滑移，...
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苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展
2020-10-09
氮化镓（ GaN ）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比， GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示， GaN器件适用于68%的功率器件市场。在功率转换电路中应用GaN器件可消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，...
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微电子所在SERS液滴生化传感器研究方向取得进展
2020-09-29
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心陈大鹏研究员课题组与中北大学熊继军教授课题组合作在表面增强拉曼（ SERS ）生化检测研究领域取得了阶段性进展。此类传感器相比同类液相环境下检测的传感器，表现出更高的检测能力，能够实现对罗丹明6G的低极限检测（ 100 fM ） ，对液体活检分析中常用的功能性探针分子（对氨基...
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SOI上的InAs量子点激光二极管
2020-09-29
中国研究人员发布第一个在绝缘体上硅（ SOI ）衬底上的电泵浦砷化铟量子点砷化镓基质（ InAs / GaAs QD ）窄脊Fabry-Perot （ FP ）激光器。激光器的有源区域由GaAs矩阵中的7层InAs QD组成，形成了井中点（ DWELL ）结构。注入电流为200mA 、 240mA时，脉冲模式下的输出功率，前者小于5mW ，后者最大为6.5mW 。研究小组...
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BiTeSe光电功能器件
2020-09-29
中国河北大学宣布使用铋碲硒（ Bi2Te2.7Se0.3 ）开发了一系列光电功能器件。该材料具有0.16eV的窄带隙的二维结构。研究人员认为这使将来可能实现在一个设备中结合信息通信、计算和存储功能。光学照明产生自由移动的电子-空穴对-电子朝着被俘获的Pd电极移动，在铋碲硒/ SiO2界面上留下正电荷。研究人员使用该结构实现了“...
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上海微系统所等制备出手性可控的石墨烯纳米带
2020-09-24
石墨烯纳米带（ GNR ）是一种准一维的石墨烯纳米结构，根据结构不同可表现出准金属或半导体特性。该特性取决于GNR的手性，包括宽度、晶格取向和边缘结构。根据不同的边缘结构， GNR可分为“锯齿型” （ ZZ ）和“扶手椅型” （ AC ） 。GNR具有高迁移率和载流能力，且由于量子限域和边缘效应，其能够开启带隙。该特性使G...
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多孔GaN上的绿光和橙光LED
2020-09-21
美国UCSB一直在使用氮化镓多孔化工艺来增加氮化铟镓（ InGaN ）微米级发光二极管（ μ LED ）的波长。多孔GaN的刚性较差，因此覆盖InGaN的“伪衬底” （ PS ）层的应变较小。该团队首先研究了具有4 ％ mx4 μ m面积的LED的平均发光波长（ EL ） ，这些尺寸的LED具有铟含量为4 ％的基础InGaN层。发射波长在很大程度上与μ...
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我国首颗工业数字光场芯片亮相
2020-09-11
4800万光场像素创造硅基液晶芯片分辨率世界新纪录！正在举行的2020中国国际服务贸易交易会（以下简称“服贸会” ）上，五邑大学参与研发的4800万像素硅基液晶数字光场芯片一亮相便惊艳了众人，被组委会评为“科技创新服务示范案例” 。据介绍，该芯片是我国首颗工业数字光场芯片，标志着我国数字光场芯片技术进入了全新...
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范东睿：从设计到产业，讲一个“完整的芯片故事”
2020-09-09
“为突破美国规划的‘信息高速公路’技术体系制约，中国科学院计算技术研究所（以下简称中科院计算所）提出了符合中国国情的‘信息高铁’计划。”日前接受科技日报记者采访时，中科院计算所高通量计算机研究中心主任、北京中科睿芯科技集团有限公司（以下简称中科睿芯）董事长范东睿兴致勃勃地说起这个大计划，“相比‘...
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魏少军：疫情之后，我国半导体产业发展的关键在哪里？
2020-09-04
突如其来的新冠肺炎疫情袭卷全球，半导体供应链不可避免地受到重创。那么疫情对国内半导体产业有何影响、发展关键在哪里？疫情中的芯片企业如何抓住发展机遇？以下是清华大学微电子学研究所所长魏少军教授座客央视财经《战“疫”后新机遇》的解读。面对本次新冠肺炎疫情对集成电路产业现状的影响，我们要从容、要淡定，...
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我国科学家利用新型谱方法表征长程耦合半导体量子比特
2020-09-03
随着半导体量子计算的不断发展，半导体量子比特性能大幅提升，如何实现多量子比特扩展已成为该领域的一个重要研究热点。利用微波谐振腔中的光子作为媒介实现比特间相互作用被认为是最具潜力的扩展方式之一，而这一方案的首要条件是实现量子比特与微波谐振腔的强耦合（量子比特与微波谐振腔的耦合速率大于比特、光子的耗...
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闪存光刻技术的新思路
2020-09-02
当NAND闪存的半间距（ half-pitch ）达到20nm时，非易失性存储容量达到64Gb 。用于图案化构成这些存储器的20nm半节距线的光刻技术是另一个机会，可以查看行业中当前已知的光刻方法的基本方面和局限性。图案化20nm半间距线的方法是自对准双图案（ SADP ） 。假设通过SADP对40nm的间距线进行了图案化，则堆叠的图案化具有...
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科学家模拟出13种用于替代硅FinFET的材料
2020-08-27
瑞士科学家对像石墨烯这样的二维材料进行了计算研究，以确定哪种材料能制造出最好的晶体管。来自苏黎世ETH和EPFL的研究小组在Piz-Daint超级计算机上结合了密度泛函理论和量子输运理论，对栅极长度从5nm到15nm的器件进行了电流-电压特性建模。据Piz-Daint所在的瑞士国家计算机中心称： “他们将这些计算与所谓的量子传输...
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《自然》刊发微型机器人新突破：细如发丝，兼容硅电子器件
2020-08-27
将电子器件微型化以生产细胞大小的机器人一直是人们追求的目标，但由于缺乏合适的微米级致动器系统，该技术一直受到限制。除了设计微型制动器外，米斯金和同事还开发了一个微型机器人原型，其中用到4个致动器作为机器人的腿。操作者可以将激光照射到机器人的不同部位，来实现弯曲前腿或后腿的效果，从而推动机器人前进。...
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避免高压氮化镓功率器件的迁移率崩溃
2020-08-24
日本SCIOCS Co Ltd宣称其n型氮化镓（ n-GaN ）在室温下具有最高的迁移率，载流子密度为1015 / cm3 。这种低掺杂层是额定电压高达10kV的垂直功率器件的关键组件，需要厚漂移层以减少电场，同时保持导电率，与迁移率和自由载流子密度成比例。温度为1050 ° C ，基板为2英寸， + c取向， Si掺杂的n型自立式GaN ，采用SiCOSC...
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具有导电底镜和触点的氮化镓VCSEL
2020-08-19
美国和韩国的研究人员主张使用具有纳米多孔（ NP ）氮化镓（ GaN ）的导电分布式布拉格反射器（ DBR ）来制造第一款电注入III氮化物垂直腔面发射激光器（ VCSEL ） 。这将有助于克服目前用III族氮化物材料生产蓝色和紫外VCSEL的局限性，使其性能与红外和更长可见光波长下的性能相似。并且目前的研究表明，导电纳米多孔Ga...
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测试或与封装“分体”
2020-08-18
在集成电路行业中，封装测试好像一直是理所应当地被“合体” ，也造就了一批传统的封测一体龙头企业。而相较于封装业的巨额产值，测试业被无形地“忽略”了。但最近一系列事件的发生，特别是国务院出台的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策(国发〔 2020 〕 8号) 》 （以下简称新政） ，第一次鲜明...
综合新闻