中国研究人员发布第一个在绝缘体上硅（SOI）衬底上的电泵浦砷化铟量子点砷化镓基质（InAs / GaAs QD）窄脊Fabry-Perot（FP）激光器。

　　该材料通过分子束外延在两个系统中生长。第一个MBE工艺由600°C时的420nm硅组成。III-V缓冲结构是在两种温度下生长，成核层由10nm AlAs和30nm GaAs组成。激光器的有源区域由GaAs矩阵中的7层InAs QD组成，形成了井中点（DWELL）结构。平行于并垂直于下方v形沟槽结构制作了窄脊激光器。

　　实验中，4μmx1mmbar的连续波（CW）操作的阈值在0°C下为140mA，在5°C和10°C下增加到175mA。在占空比为5％的100ns脉冲操作中，对于0-10°C温度范围，阈值减小到50mA左右，60°C时，增加到90mA。注入电流为200mA、240mA时，脉冲模式下的输出功率，前者小于5mW，后者最大为6.5mW。

　　研究小组希望高反射涂层和小面钝化可以提高输出功率并降低阈值。

　　反映阈值电流变化的特性温度T0在30°C以下为184.2K，而在散热问题上则降至58.1K。 在室温（20°C）下，器件的斜率效率在0.034W / A时评价为“差”。在占空比为0.2％的情况下以2μs脉冲工作可以在80°C下提高温度工作，但在室温下可以提高130mA的阈值。在这些条件下，最大室温输出功率为75mW，在0-40°C范围内，T0为75.9K，在40-80°C时降至41.7K。

　　散热是一个大问题，研究人员通过使用外部结合的散热器实现厚金属触点，来减少激光芯片内部的热量积聚，从而改善设备性能。另一种方法即在SOI沟槽内进行InAs QD激光器的选择性区域生长，允许热量转移到导电性更高的硅基板上。